Cтраница 5
Скорость роста эпитаксиальной пленки зависит от расхода SiC. Все эти переменные, которые можно контролировать достаточно точно, определяют продолжительность процесса. [61]
Наименьшая толщина эпитаксиальной пленки составляет 0 0025 мкм. Она определяется наличием центров кристаллизации. Верхний предел толщины пленки, свободный от дефектов, равен 250 мкм. [62]