Плотность - состояние
Cтраница 3
 |
Зависимость сечения резонансного рассеяния от ojh витального момента 1 налетающих ядер при разных углН рассеяния.| Спектр а-частиц отдачи при торможении ионов О в Не. [31] |
Если плотность состояний промежуточного ядр невелика и справедлива ф-ла ( 1), то в случае заряж. При этом часто достаточно измерить зависимость сечения от энергии. [32]
 |
Энергия активации при прыжковой проводимости по ближайшим. [33] |
И плотность состояний, и положение ферми-уровня сформировались в том потенциальном рельефе, который был создан самими электронами, в принципе имевшими возможность распределиться по донорам CN способами. [34]
Считая плотность состояний на левой стороне равной NI ( EF, мы получим, что при приложенном напряжении V слева существуют eVNi ( zF состояний, которые могут протуннелировать направо за время гь. [35]
Если плотность состояний на уровне Ферми / V ( EF) равна нулю, то носители в инверсионном слое не могут рассеиваться и центр циклотронной орбиты дрейфует в направлении, перпендикулярном электрическому и магнитному полям. P) конечна, но мала, то рассеяние не может быть сколь угодно слабым. [36]
Поскольку плотность состояний принимает большие значения только в узкой полосе частот, то область интегрирования можно расширить до сю. [37]
Здесь плотность состояний электронов непрерывного спектра w ( e) введена для того, чтобы сохранить при вычислении матричных элементов Нар принятую в § 3 гл. [38]
Вычисление плотности состояний представляет собой весьма сложную проблему даже в приближении, которое учитывает образование только пар. Насколько известно автору, точное выражение отсутствует. [39]
Хвост плотности состояний в запрещенной зоне проявляется в межзонном оптич. Однако в целом электронные зоны в аморфных и кристаллич. [40]
Хвост плотности состояний при Е 3 А получается за счет пар аномально близко расположенных ям с г % С п - 1 3, состояния при малых Б С А - за счет нерезонансных и уединенных ям. [41]
Повышение плотности состояний коллективизированных s - элект-ронов, распределенных внутри шарового слоя при переходе от щелочных ( s1) к щелочноземельным ( s2) металлам, подавляет перекрывание р6 - оболочек и ведет к стабилизации плотных упаковок сферически симметричных остовов. [42]
Кривая плотности состояний для меди схематически изображена на рис, 2.18, Плотность состояний на поверхности Ферми мала. [43]
 |
Фрагменты структур аморфного кремния с точечными дефектами ( а, гидрогенизированного аморфного кремния ( б и распределение. [44] |
Распределения плотности состояний в пленках аморфного кремния, не содержащих ( a - Si) и содержащих ( a - Si: Н) водород, показаны на рис. 5, в. Сравнивая этот рисунок с рис. 4, г, можно увидеть, что даже в аморфном кремнии, содержащем водород, хвосты валентной зоны, зоны проводимости, а также зона разрешенных состояний в середине запрещенной зоны перекрывают друг друга, образуя непрерывное по энергии распределение локализованных состояний в запрещенной зоне. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5