Cтраница 5
Сначала рассмотрим плотность состояний вблизи краев энергетических зон. Предположим, что на плотность состояний кристалла, подчиняющуюся вблизи края закону Ван-Хова ( - Е1 / 2), наложены малые флуктуации электрического потенциала. Через W обозначим среднее значение флуктуации. Применяя другое, более точное приближение когерентного потенциала [2,37] для нормального распределения флуктуации потенциала можно получить хвосты плотности состояний, показанные на рис. 2.2.1. Заметим, что зависимость плотности электронных состояний от энергии ( - Е1 / 2) не зависит от характера спада хвостов и существенных изменений не претерпевает. [61]
![]() |
Модель Кронига и Пенни. [62] |
Выражение для плотности состояний (2.21), полученное с помощью простейшей модели вещества, широко используется в теории твердого тела. Оказывается, если заменить в нем т на эффективную массу электрона т, то (2.21) будет определять плотность состояний в реальном кристалле. [63]
Поэтому обычно плотность состояний моделируют простыми ф-циями, соответствующими простейшим моделям колебаний кристаллич. [64]