Плотность - состояние
Cтраница 4
Перестройка плотности состояний в сильном магнитном поле приводит к существенному изменению проводимости. Расчеты уширения уровней и поперечной проводимости ахх двумерного электронного газа в сильных магнитных полях [ 32, 48] показали, что плотность состояний на каждом уровне Ландау Ena s v не является б-функцией, а имеет в рамках самосогласованного борновского приближения эллиптическую форму, причем отдельные уровни разделены энергетическими зазорами. [46]
Представление плотности состояний в виде суммы двух слагаемых кажется вполне естественным, однако здесь еще не все ясно до конца. [47]
Изменение плотности состояний с частотой имеет первостепенное значение для характеристик спектра. Любая ветвь дисперсионной диаграммы будет вносить существенный вклад в кривую плотности состояний для частоты, при которой градиент со по волновому вектору k близок к нулю. [48]
Кривая плотности состояний для меди схематически изображена на рис. 2.18. Плотность состояний на поверхности Ферми мала. [49]
 |
Зависимость плотности состояний от энергии для кристалла ( а и аморфных твердых тел ( б, в. Локализованные состояния заштрихованы. [50] |
Зависимость плотности состояний от энергии для этих двух случаев показана на рис. 11.5. Там же для сравнения приведена соответствующая зависимость для кристалла. [51]
 |
Плотность состояний электро - а нов с-зоны в сильном поле ( бегущая волна. [52] |
График плотности состояний электронов ( рис. 5.3) имеет щель шириной 2Я и обладает сингулярностью при со А. Следует отметить совпадение р ( со) с плотностью состояний в сверхпроводниках. [53]
Вклад плотности состояний квазинепрерывного спектра в общую плотность состояний зависит от протяженности межфазной границы, которая, в свою очередь, определяется условиями формирования поверхности. [54]
Определим энергетическую плотность состояний для частицы, движущейся в потенциальном ящике объема V, свободном от действия внешних сил. [55]
 |
Спектральные характеристики фотоэффекта в Si.| Спектральные характеристики Cs3Sb, Cs2Fe и Cs. I. [56] |
В полупроводниках плотность состояний в валентной зоне, из к-рой возбуждаются фотоэлектроны, убывает к вершине зоны. [57]
 |
Зависимость энергии от квазиимпульса в InSb. [58] |
Так как плотность состояний в с-зоне аномально мала, то в случае вырождения электроны, занимая состояния у дна зоны, заполняют значительный интервал энергий е, , что приводит к смещению длинноволновой границы в сторону коротких длин воли. [59]
Страницы: 1 2 3 4 5