Плотность - состояние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон Митчелла о совещаниях: любую проблему можно сделать неразрешимой, если провести достаточное количество совещаний по ее обсуждению. Законы Мерфи (еще...)

Плотность - состояние

Cтраница 1


1 Изменение фронта поглощения в сильно примесном Ge ( a. проникновение. уровня Ферми в зону проводимости и укорачивание Д ширины прямой зоны ( 000 и непрямой ( 111 ( значения п следует умножить на 1018 ( б. [1]

Плотность состояния больше чем для чистого тела, но эффективная масса не меняется.  [2]

Плотность состояний на границе раздела Si - SiO2 не превышает 1011 см-2, причем в основном это быстрые состояния.  [3]

Плотность состояний может быть найдена из рентгеноспектральных исследований или построена по зонной структуре, рассчитанной, например, методом ЭП или ЭС ОПВ. Такая кривая для германия была недавно рассчитана Германом и др. [103] на основании тщательных вычислений методом ЭС ОПВ.  [4]

Плотность состояний и другие спектральные инварианты самосопряженных эллиптических операторов со случайными коэффициентами / / Математический сб.  [5]

Плотность состояний в энергетических зонах пропорциональна УЕ и графически изображается параболами.  [6]

7 Схематическое изображение изоэнергетических поверхностей в импульсном пространстве у дна зоны проводимости в кремнии, представляющих собой шесть эллипсоидов вращения, или долин, с большими осями в направлениях 100. Минимумы зоны проводимости, которым соответствуют центры эллипсоидов, отстоят от центра зоны Брнллюэна на расстоянии, составляющем 85 % расстояния до ее границы. Большая ось эллипсоида соответствует продольной эффективной массе электрона в кремнии те 0 916 / л0, малая - поперечной эффективной массе т, 0 190 / л0. [7]

Плотность состояний в двумерной зоне проводимости ие зависит от энергии и равна ( кратность долинного и спинового вырождения полагается равной единице), где т - изотропная эффективная масса.  [8]

9 Зависимость проводимости инверсионного п-слоя на поверхности ( ПО кремния ( ту / тх 2 9 от радиуса действия гауссова потенциала рассеивателей. Сплошные кривые соответствуют а, штриховые - ауу. [9]

Плотность состояний и компоненты тензора проводимости описываются выражениями, аналогичными (6.18), (6.24), (6.29) и (6.30), где оси и выбираются в направлении осей симметрии системы. Природа уширения уровней, как и следует ожидать, та же, что и в изотропной системе.  [10]

Плотность состояний становится отличной от нуля при еХ ( рис. 5.5), но остается малой в этой области.  [11]

Плотность состояний в кристаллических сплавах с позиций волнового движения валентных электронов и потенциалов кристаллических структур изучена достаточно подробно. Что касается аморфных металлов, то, как указывалось в главе 3, атомные конфигурации в них отличаются от таковых в кристаллах полным отсутствием дальнего порядка, а локальная структура ближнего порядка описывается мозаичным распределением групп полиэдров, не встречающихся в кристаллическом состоянии. Одновременно в аморфных металлах наблюдается значительное отличие в поведении валентных электронов d - элементов, что играет главную роль в явлениях электронного переноса, например в электропроводности.  [12]

Плотность состояний непосредственно не связана с функциями Вайтмана.  [13]

Плотность состояний можно определить экспериментально, например, по фотоэмиссии или эффекту поля.  [14]

Плотность состояний является важной характеристикой энергетического спект физических систем ( от атомных ядер до макроскопических твердых тел), от которой завис различные физико - химические свойства По определению плотность электронных состоян.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5