Плотность - электронное состояние
Cтраница 1
Плотность электронных состояний Л ( е) является суммой локальных плотностей состояний. [1]
 |
Различные виды плотности состояний, которые, как предполагается, могут осуществляться в аморфных полупроводниках ( области, соответствующие локализованным состояниям, заштрихованы. [2] |
Концепция плотности электронных состояний дли некристаллических материалов остается справедливой в той же мере, что и для кристаллических. Особо важным является вопрос о состояниях в запрещенной зоне как примесной, так и собственной природы. Энергетический спектр аморфных полупроводников отличается от спектра кристаллических полупроводников наличием хвостов плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. [3]
 |
Распределение плотности электронных состояний N (. в зависимости от энергии Е. [4] |
Однако распределение плотности электронных состояний для рассматриваемых фаз не известно, и пока невозможно определить, какая часть валентных электронов является связанными, а какая - коллективизированными. Дальнейшее, более глубокое изучение физико-химических свойств и прежде всего электронной структуры рассматриваемых здесь фаз будет способствовать также и выяснению других проблем физики твердого тела. [5]
В частности, плотность электронных состояний на поверхности Ферми достигает максимальных значений у Ni, Pd и Pt, наиболее активных катализаторов реакций активирования водорода. [6]
В k - пространстве плотность электронных состояний в объеме A3k ( 4itk2Ak) равна 2A3k / ( 2n) 3, где множитель 2 учитывает спин. Следует отметить, что хотя обе зоны дважды вырождены Из-за спина, в формулу для приведенной плотности состояний входит лишь множитель 2 ( а не 4), поскольку при дипольных переходах спин сохраняется. [7]
Коэффициент Y прямо пропорционален плотности электронных состояний на уровне Ферми. [8]
Поскольку величины дают информацию о плотности электронных состояний на уровне Ферми, мы рассматриваем эти величины в следующих главах, посвященных электрическим свойствам и характеру межатомных связей. [9]
Поскольку магнитная восприимчивость связана с плотностью электронных состояний вблизи поверхности Ферми, то очевидно, что из этих данных можно получить сведения, касающиеся формы кривой зависимости N ( E) от Е внутри зоны Бриллюэна. [10]
 |
Зависимость плотности электронных состояний от энергии для трехмерных ( /, двухмерных ( 2, одномерных ( 3 и нульмерных ( 4. [11] |
Для макроскопических кристаллов характерна квадратичная зависимость плотности электронных состояний N ( E) от энергии. [12]
 |
Зависимость I, dljtiV и d2IjdVl от смещения У для кремниевого диода при 4 2 К. [13] |
Различие dljdV обусловлено различием локальных значений плотности поверхностных электронных состояний относительно межатомных расстояний. [14]
Измерения удельной теплоемкости могут дать оценки для плотности электронных состояний вблизи энергии Ферми и для ширины зоны проводимости, с которыми можно сравнить результаты расчетов методом ОПВ. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5