Плотность - электронное состояние
Cтраница 4
 |
Физические свойства о-фаз. [46] |
Зависимость критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние от электронной плотности представлена на рис. 1.16. Для многих фаз типа а на основании калориметрических измерений определены характеристические температуры Дебая 0, электронная теплоемкость в состоянии сверхпроводимости Ces и температурный коэффициент электронной теплоемкости у, по которым оказалось возможным приближенно оценить плотность электронных состояний на поверхности Ферми. [47]
 |
Физические свойства 0-фаз. [48] |
Зависимость критической температуры перехода в сверхпроводящее состояние от электронной плотности представлена на рис. 1.16. Для многих фаз типа а на основании калориметрических измерений определены характеристические температуры Дебая 9, электронная теплоемкость в состоянии сверхпроводимости Ces и температурный коэффициент электронной теплоемкости у, по которым оказалось возможным приближенно оценить плотность электронных состояний на поверхности Ферми. [49]
 |
Распределение плотности электронных состояний в твердом. [50] |
Наиболее простой способ нахождения поверхностных уровней заключается в прямом измерении распределения электронных уровней и отборе тех из них, которые могут быть связаны с поверхностью. На рис. 2.12 показано распределение плотности электронных состояний в валентной зоне твердого тела. При подводе извне энергии ( облучение светом и т.п.) происходит испускание электронов, причем их кинетическая энергия имеет распределение В. [51]
На рис. 6 представлены оже-спектры образцов карбина и графита. На рис. 7с приведена кривая распределения плотности электронных состояний в валентной зоне образца карбина. Как видно из расчетных данных, цепочки состоят из глубоко залегающей о - - зоны и расположенной выше нее л - - зоны. Между этими зонами наблюдается запрещенная зона д, величина которой уменьшается при увеличении длины цепочки, а ширина ст - и л - - зон при этом увеличивается. [52]
Если речь идет о свойствах, зависящих только от плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми, то можно сделать дополнительное предположение, согласно которому стехиометрические карбиды и нитриды можно рассматривать как изоэлектронные соединения. Изменение же свойств можно приближенно объяснить смещением уровня Ферми в соответствии с электронной концентрацией. [53]
Конкретно вычислялась локальная ллотность электронных состояний ( LDS) и оценивалось влияние спин-орбитальной связи. Вкратце идея метода заключается в вычислении моментов ii функции плотности электронных состояний. [54]
Подробнее этот вопрос будет paccMOipeii в разд. Иа рис. 14.7 видно, что, согласно теории Блоха, зависимость плотности электронных состояний от энергии должна быть дискретной. Таким образом, как теория молекулярных орбиталей, так и приближение периодического потенциального поля приводят к выводу о существовании энергетических зон в твердых телах. [55]
Большое значение для фотодиодов Шотки имеет качество границы раздела металл - полупроводник. Высота потенциального барьера в значительной степени определяет эффективность поверхностно-барьерных структур и зависит от плотности поверхностных электронных состояний. [56]
На рис. 2.1.1 показаны форма краев энергетических зон и их лившицевы границы. Таким образом, вблизи оптических краев энергетических зон из-за наличия хвостов происходит увеличение плотности электронных состояний. [58]
 |
ИЭС от частично очищенной поверхности молибдена. [59] |
В-третьих, энергетический сдвиг трех электронных оболочек атома различен, а поскольку смещение линий оже-электронов есть суммарно-разностный эффект, невозможно точно определить энергетическое смещение каждого уровня атома. Ситуация часто осложняется тем, что изменение химического состояния атома приводит к изменению плотности электронных состояний валентной зоны атома, которая, как правило, участвует в оже-процессе. Поэтому небольшое энергетическое смещение при дифференцировании спектра оже-электронов регистрируется только как изменение формы линий оже-электронов. Таким образом, метод ЭСС, как свидетельствуют экспериментальные исследования [72, 97, 105, 137, 147], можно использовать для качественного изучения химического состояния поверхностных атомов или энергетической структуры приповерхностной области материала. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5