Cтраница 5
Важное отличие фотоэлектронной эмиссии в случае полупроводников, по сравнению с металлами, обусловлено также законом изменения плотности электронных состояний в валентной зоне, откуда черпаются электроны. В то время как у металлов в окрестности энергии Ферми при Et - w плотность электронных состояний обычно является медленно меняющейся функцией энергии, у полупроводников эта величина при энергии Et - w Ev, отвечающей потолку валентной зоны и порогу фотоэмиссии, обращается в нуль. [61]
Применение подобной методики, на наш взгляд, может оказаться плодотворным при исследовании распределения плотности электронных состояний на поверхностях катализаторов. [62]
Данные о коэффициентах электронной теплоемкости у карбидов и нитридов уже приводились в табл. 29 ( гл. Были проведены исследования зависимостей у от состава, дефектности и типа кристаллической структуры. Поскольку у пропорционален плотности электронных состояний на уровне Ферми, то его исследования в совокупности с измерениями магнитной восприимчивости, коэффициента Холла и других параметров помогают понять особенности электронной структуры карбидов и нитридов. Именно эти измерения послужили основой при формулировании модели жесткой полосы для электронной зонной структуры тугоплавких карбидов и нитридов, а также предположения о том, что изменения свойств их можно объяснить смещением уровня Ферми при заполнении полос в соответствии с квэ или каким-то иным параметром. [63]
В случае кремния экспериментальные доказательства были получены путем регистрации спектра люминесценции с пространственным и временным разрешением. На рис. 5 приведена температурная зависимость спектра люминесцентного излучения из области деформационной ловушки в кремнии. E / kT), где Е2 отвечает плотности электронных состояний в трехмерном потенциале гармонического осциллятора. При понижении температуры возникает дополнительный максимум при более низкой энергии, соответствующий экситонным молекулам, Он обязан своим происхождением рекомбинации электрона и дырки в молекуле, в результате которой остается обычный экситон. Длинный низкоэнергетический хвост молекулярной люминесценции отвечает распределению кинетической энергии этих оставшихся экситонов. [64]
Концепция плотности электронных состояний дли некристаллических материалов остается справедливой в той же мере, что и для кристаллических. Особо важным является вопрос о состояниях в запрещенной зоне как примесной, так и собственной природы. Энергетический спектр аморфных полупроводников отличается от спектра кристаллических полупроводников наличием хвостов плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. [65]