Плотность - электронное состояние
Cтраница 2
Данное выражение может быть полезно для анализа плотности электронных состояний в янденсированных средах, формирующих фрактальные структуры. В этом случае величина d шределяется размерностью соответствующей структуры. [16]
Действительно, поскольку в металле теплоемкость с0 определяется плотностью электронных состояний на уровне Ферми N ( Ef) ( ср. [17]
 |
Рентгеновские фотоэлектронные спектры железной фольги при различных температурах в токе водорода ( Fad-ley С. S., Shirley D. A., Phys. Rev. Lett., 14, 980 ( 1968. [18] |
Для этих целей особенно пригодна УФЭС, позволяющая изучать плотность электронных состояний в валентных зонах твердых тел ( см. разд. [19]
Плижняя тонкая структура спектра поглощения металла позволяет судить о плотности свободных электронных состояний в его решетке. Если эту структуру исследовать для разных спектров поглощения одного и того же металла, то Л - спектры позволят судить о распределении плотности свободных / ( - состояний по энергиям, а Лщ-снектры - о плотности состояний s - и rf - симмет. [20]
 |
Плоское сечение кристалла. изолинии электронной плотности ( аналогично - потенциала выделяют ионные остовы. [21] |
При рассмотрении вклада электронной теплоемкости помимо температуры следует учитывать также плотность электронных состояний. В переходных металлах на широкую ( 5 - р) - зону, обладающую малой плотностью, накладывается узкая d - зо-на с большой плотностью состояний. Это обстоятельство может объяснить высокие значения теплоемкости переходных металлов, превышающие 6 кал / град-атом. Так, атомная теплоемкость-железа при 300 С возрастает до 7 82, а при 600 С - до 10 53 кал / град-атом. [22]
Изучение рентгеновских спектров эмиссии и поглощения позволяет получить информацию о плотности электронных состояний, ширине различных полос и их взаимном расположении по шкале энергий. По интенсивностям спектральных линий нельзя точно определить плотности состояний или однозначно расшифровать полосы, но можно получить ценную информацию о зонной структуре изучаемых объектов. [23]
В некристаллическом веществе в отличие от кристалла знания граничной фермиевской энергии и плотности электронных состояний еще недостаточно, чтобы выяснить, металлом, диэлектриком или полупроводником является рассматриваемое вещество. При случайном расположении ионов возможны еще особые, так на зываемые локализованные электронные состояния, и важно знать, обычными или локализованными являются электронные состояния вблизи фермиевского уровня. [24]
 |
Зависимость электросопротивления TiCi. c ( n и TaCi - ( - - - - - - - . [25] |
Лай [9] же считает, что главную роль в этом играет быстрое возрастание плотности электронных состояний при уменьшении содержания углерода. Результаты измерений магнитной восприимчивости [10] показывают, что это действительно должно иметь место. [26]
Если электрон вылетает с низкой кинетической энергией, то на вероятность фотоэмиссии будет влиять плотность незанятых электронных состояний. Вариации этой плотности незанятых состояний с ростом энергии будет влиять на форму наблюдаемой N ( E) кривой для фотоэлектронов. [27]
 |
Кривые зависимости коэффициента диффузии азота в переходные металлы от гомологической температуры.| Параметры диффузии элементов внедрения в [ 5 - Zr. [28] |
Отметим, что согласно представлениям, развиваемым авторами работ [9, 18, 30], у металлов VI группы плотность электронных состояний на поверхности Ферми минимальна и ионизация металлоидов происходить не будет. Растворение примесей, как показано на примере внедрения водорода и кислорода, очень мало, и модель упругих шаров может быть применена для диффузионных расчетов металлов VI группы более обоснованно, чем для металлов IV и V групп. Удовлетворительная сходимость расчета энергии активации для диффузии азота в хроме с экспериментальным значением подтверждает высказанные соображения. [29]
Классы ячеечных КМСИ отличаются выбором исходного вида функционала плотности и способом учета влияния плазменного окружения на плотность электронных состояний в ячейке. В большинстве моделей атом представляется в виде точечного ядра, окруженного непрерывным фоном положительного заряда остальных ионов. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5