Плотность - электронное состояние
Cтраница 3
 |
Потенциалы ионизации электронных оболочек в атоме угле-рола. [31] |
С точки зрения развития теории химических связей в гиперполимерах представляют интерес квантовомеханические расчеты и рентгеноспектраль-ные исследования плотности электронных состояний в алмазе. Они существенны для определения энергетических характеристик зонной структуры алмаза. Последнее можно объяснить изменением заселенности сферически-симметричных s - состояний при сближении атомов углерода и образовании а-связей. В электронной структуре это приводит к возрастанию плотности сферически-несимметричных электронных состояний и перераспределению электронов между s - и / 7-оболочками. Указанные изменения способствуют образованию 5 / 3-гибридизации ( см. главу III), существующей в узлах трехмерных ковалентных сеток ( ТКС) алмаза. При этом з / 3-гибридизация возникает, как правило, не сразу, а через промежуточную электронную конфигурацию, которая реализуется на поверхности алмазной грани. [32]
Важное отличие фотоэлектронной эмиссии в случае полупроводников, по сравнению с металлами, обусловлено также законом изменения плотности электронных состояний в валентной зоне, откуда черпаются электроны. В то время как у металлов в окрестности энергии Ферми при Et - w плотность электронных состояний обычно является медленно меняющейся функцией энергии, у полупроводников эта величина при энергии Et - w Ev, отвечающей потолку валентной зоны и порогу фотоэмиссии, обращается в нуль. [33]
Нестехиометрические карбиды и нитриды нельзя рассматривать как изоэлектронные фазы, даже если имеют дело со свойствами, зависящими только от плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми, несмотря на имеющиеся указания о сходстве некоторых их физических свойств, таких, как магнитная восприимчивость. [34]
Таким образом, для сплавов переходных металлов с металлами IB группы необходимо учитывать не только степень заполнения d - зоны, но и плотность электронных состояний в различных зонах. Так, например, плотность состояний в d - зоне никеля приблизительно в 10 раз выше, чем в s - зоне, что должно обеспечить переход около 90 % s - электронов меди в d - зону никеля. Вследствие разности плотности состояний не все s - электроны металла IB группы способны переходить в d - зону, и поэтому ее заполнение должно наблюдаться при более высоких критических концентрациях, чем это следует из простейших расчетов. [35]
Чтобы найти полную скорость реакции в расчете на один протон, выполним интегрирование по всем начальным состоянием электрона и по dEv с учетом выражения (11.4.11) для плотности электронных состояний. [36]
 |
Осцилляционный эффект де Гааза - Ван-Альфена в золоте. [37] |
Эффект де Гааза - Ван-Альфена наряду с эффектом Шубникова - де Гааза относится к квантовым осцилляционным эффектам обусловленным тем что в сильных магнитных полях происходят осцилляции плотности электронных состояний на уровне Ферми, в результате чего при К г и Нш k0T наблюдаются осцилляции различных кинетических и термодинамических характеристик металла. Эффект Шубникова - де Гааза заключается в возникновении квантовых осцилляции электропроводности ( или электрического сопротивления), а эффект де Гааза - Ван-Альфена - в возникновении осцилляции магнитной восприимчивости при низких температурах. [38]
 |
Осцилляционный эффект де Гааза - Ван-Альфена в золоте. [39] |
Эффект де Гааза - Ван-Альфена наряду с эффектом Шубникова - де Гааза относится к квантовым осцилляционным эффектам обусловленным тем что в сильных магнитных полях происходят осцилляции плотности электронных состояний на уровне Ферми, в результате чего при К г и Нш k0T наблюдаются осцилляции различных кинетических и термодинамических характеристик металла. Эффект Шубникова - де Гааза заключается в возникновении квантовых осцилляции электропроводности ( или электрического сопротивления), а эффект де Гааза - Ван-Альфена - в возникновении осцилляции магнитной восприимчивости при низких температурах. [40]
 |
Осцилляционный эффект де Гааза - Ван-Альфена в золоте. [41] |
Эффект де Гааза-Ван - Альфена наряду с эффектом Шубни-кова-де Гааза относится к квантовым осцилляционным эффектам, обусловленным тем, - что в сильных магнитных полях происходят осцилляции плотности электронных состояний на уровне Ферми, в результате чего при Хг и йо k0T наблюдаются осцилляции различных кинетических и термодинамических характеристик металла. [42]
Нелокальная теория Пиппарда необходима для объяснения того экспериментального факта, что при введении примесей в чистый сверхпроводящий элемент увеличивается глубина проникновения, поскольку в теории Лондонов глубина проникновения зависит только от плотности электронных состояний и эффективной массы. Следует отметить, что в случае образования слабо-легированного сплава последние две величины не должны значительно изменяться. [43]
Нелокальная теория Пиппарда необходима для объяснения того экспериментального факта, что при введении примесей в чистый сверхпроводящий элемент увеличивается глубина проникновения, поскольку в теории Лондонов глубина проникновения зависит только от плотности электронных состояний и эффективной массы. Следует отметить, что в случае образования слаболегированного сплава последние две величины не должны значительно изменяться. [44]
Удобно рассматривать фотоны с энергиями в интервале от hv до h - f A / iv, взаимодействующие с электронами, которые занимают в k - пространстве область от k до k, Ak; при этом плотность электронных состояний в валентной зоне и зоне проводимости в этой области одинакова. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5