Поверхность - растущий кристалл
Cтраница 1
 |
Ступеньки, выступы и уступы на грани кристалла, представляющие различные участки для присоединения новых атомов при росте. [1] |
Поверхность растущего кристалла, если ее рассматривать на атомном уровне, не является идеально гладкой, так как присоединение атомов к поверхности при росте должно приводить к образованию ступеньки. [2]
Поскольку поверхность растущих кристаллов увеличивается, скорость удаления растворителя для поддержания постоянного пересыщения должна во времени возрастать. [3]
Если поверхность растущего кристалла не идеальна, а имеет дефекты, тс рост грани может продолжаться и без периодического образования двухмерных зародышем. На поверхности такого кристаллита образуется клиновидная степень, вдоль которой разрядившиеся агомы встраиваются в решетку. Растущая ступень непрерывно обходит грань кристаллита по кругу и по мере роста грани не исчезает. Таким образом, спиралевидный рост грани является непрерывным процессом и не требует промежуточного образования двухмерных зародышей. В отдельных случаях при наличии винтовых дислокаций растущие грани не моноатомны, а имеют значительную толщину. [4]
 |
Кривая зависимости потенциала платинового катода от времени при восстановлении кадмия из 1 н. раствора CdSO4. [5] |
Если бы поверхность растущего кристалла была энергетически однородна, подобно жидкой поверхности ртути, то восстановление иона было бы одинаково вероятно в любой точке. Но па поверхности твердого кристаллического тела различные точки не равноценны в смысле возможности восстановления катионов и присоединения их к кристаллической решетке. [6]
Осаждаясь на поверхности растущих кристаллов, они образуют очень тонкий слой, который препятствует дальнейшему росту этих кристаллов; металл получается мелкозернистым. [7]
 |
Кривая зависимости - потенциала платинового катода от времени при восстановлении кадмия из 1 н. раствора CdSO4. [8] |
Если бы поверхность растущего кристалла была энергетически однородна, подобно жидкой поверхности ртути, то восстановление иона было бы одинаково вероятно в любой точке. [9]
Концентрация ионов у поверхности растущего кристалла, как видно из уравнения (3.5), меньше, чем в толще электролита или у участков катодной поверхности, где почему-либо еще не начался рост кристаллов. [10]
Модификатор адсорбируется на поверхности растущего кристалла графита, сдерживая и выравнивая его рост во всех направлениях равномерно. Такое ограничение роста и равномерный приток атомов углерода способствуют сфероидизации кристаллов графита, растущих из жидкого расплава. [11]
Молекулы депрессорных присадок модифицируют поверхность растущих кристаллов. Это предотвращает рост и срастание кристаллов - температура застывания масла сдвигается в область более низких температур. Температура застывания нефтяных моторных масел составляет ( - 15) - ( - 25) С, загущенных - ( - 30) - ( - 40) С, синтетических - ( - 50) - ( - 60) С. [12]
 |
Распределение примеси по. [13] |
Массоперенос из ламинарного потока к поверхности растущего кристалла зависит от его формы, состава и динамических свойств среды. [14]
 |
Схема роста кристаллов ( по И. Л. Миркину.| Зависимость скорости роста кристаллов ( с. к. и скорости зарождения центров кристаллизации ( ч. ц. от степени переохлаждения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5