Поверхность - растущий кристалл
Cтраница 3
 |
Большие фигуры роста на поверхности пленки кремния.| Микрорельеф поверхности монокристаллической пленки кремния, выращенной при 1200 С. [31] |
Все эти наблюдения показывают, что химические равновесия на поверхности растущего кристалла являются агентами упорядочения рельефа поверхности, которые препятствуют осаждению атомов в неравновесных положениях по поверхности. [32]
ОН) 4 может осаждаться в виде SiO2 на поверхности растущего кристалла кварца только лишь из очень разбавленного раствора и с очень малой скоростью. Если же концентрация Si ( ОН) 4 в растворе превышает приблизительно 2 10 - 3 моль / л, то происходит, как уже выше отмечалось, процесс конденсации до поликремневых кислот с образованием коллоидных частиц. [33]
 |
Условия реализации адеорбционно-кинетнчсского режима сокристаллизации примесей. [34] |
Адсорбционно-кинетический режим наблюдается, если скорость взаимодействия примеси с поверхностью растущего кристалла соизмерима со скоростью его роста, массоперенос из объема среды к поверхности кристалла и изменение состояния примеси в материнской фазе происходят значительно быстрее сорбции, а миграция примеси в объеме кристаллов протекает пренебрежимо медленно. Тогда примесь равномерно распределена в материнской фазе в любой момент кристаллизации и ее состояние в среде меняется квазиравновесно, а примесь, перешедшая на поверхность кристалла, полностью переходит в объем твердой фазы, так что коэффициент захвата отражает кинетику только адсорбционного процесса. Полный переход адсорбированной примеси в кристаллы подтверждают, например, следующие два факта. [35]
Модификация формы кристаллов может происходить в результате адсорбции примеси на поверхности растущих кристаллов. Благодаря избирательной адсорбции линейные скорости роста граней меняются по-разному, что и приводит к изменению формы кристалла. Адсорбция в данном случае представляет собой один из видов взаимодействия примеси с твердой фазой. Другим видом взаимодействия может быть образование ограниченных и неограниченных твердых растворов веществ, что тоже в отдельных случаях может оказывать влияние на форму частиц. Из рассмотрения исключается кристаллизация новых соединений, появляющихся при химическом взаимодействии примесей с получаемым веществом, так как в этом случае изменение огранки самоочевидно. [36]
Эффективное перемешивание раствора во время осаждения необходимо для того чтобы поверхность растущих кристаллов находилась в равновесии со всей массой раствора. [37]
 |
Зависимость скорости кристаллизации от. [38] |
Процесс, в результате которого растворенное вещество оказывается выделившимся на поверхности растущего кристалла, обычно протекает в два этапа. [39]
В первой дислокационной модели предполагается правильное распределение моноатомных ступеней на поверхности растущего кристалла, что проявляется в образовании гладкой поверхности. В действительности, однако, поверхность содержит множество дефектов, которые при росте приводят к возникновению шероховатой поверхности. Структура поверхности обусловливает движение слоев и, следовательно, скорость роста. [40]
Рост зародыша кристалла включает две стадии - диффузию ионов к поверхности растущего кристалла и осаждение этих ионов на - этой поверхности. [41]
Во-вторых, нужно отметить в связи с вышеизложенным, что поверхности растущего кристалла, как это следует из описания механизма роста кристаллов, всегда гетерогенны. Ступени на поверхности кристалла должны обладать адсорбционными или каталитическими свойствами, отличными от свойств открытых поверхностей между ступенями. [42]
Согласно Лошкареву, причина этого явления заключается в адсорбции органических добавок поверхностью растущих кристаллов и образовании плотной адсорбционной пленки, закрывающей всю поверхность электрода. При совместном осаждении нескольких металлов эта пленка может тормозить проникновение к катоду и разряд лишь одного металла, не оказывая влияния на разряд ионов другого металла. [43]
При помощи кинетического метода изучена кинетика взаимодействия Се и РЬ с поверхностью растущих кристаллов коллектора. Показано, что экспериментальные данные можно истолковать, прибегая к представлению о двух состояниях примеси на поверхности кристалла. Рассчитаны некоторые характеристики каждого из этих состояний. [44]
Перенос путем внутренней адсорбции, вероятно, обусловливается адсорбцией индикатора на поверхностях растущего кристалла, где он захватывается последовательно образующимися слоями. Возможно, что индикатор плотно адсорбируется в двойном электрическом слое ( см. стр. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5