Поверхность - растущий кристалл
Cтраница 2
Как видно из схемы, поверхности растущих кристаллов соприкасаются друг с другом и их правильная внешняя форма нарушается, получается произвольной. [16]
Возможно также, что вблизи поверхности растущего кристалла возникают структурированные ионные ( молекулярные) слои и при некотором импульсе ( появлении на поверхности грани зародыша) происходит одновременное упорядочение ближайшего к поверхности ионного слоя и присоединение его к кристаллической решетке. [17]
Таким образом, адсорбция примесей на поверхности растущего кристалла, независимо от механизма этого процесса, приводит, как правило, к изменению габитуса и размеров кристаллических частиц и уменьшению скорости выпадения осадка, что, в свою очередь, оказывает большое влияние на физические свойства солей и удобрений - гигроскопичность и слеживаемость образцов, их гранулируемость и прочность гранул. Эти вопросы более подробно будут рассмотрены в следующих главах. [18]
 |
Схема принципа перекрывания. [19] |
Скорость осаждения кристаллического материала зависит от поверхности растущих кристаллов и от степени пересыщения раствора. Эта скорость должна соответствовать скорости охлаждения или удаления растворителя, чтобы степень пересыщения оставалась ниж. [20]
 |
Гомогенное зародышеобразование в ч с-полиизопрене [ П. 3270 ]. [21] |
Вторичное зародышеобразование - это зародышеобразование на поверхности растущего кристалла. [22]
Индикатор, повидимому, адсорбируется на поверхностях растущих кристаллов, причем в результате получается резко неравномерное распределение индикатора в осадке. [23]
В этом случае частица, оказавшаяся вблизи поверхности растущего кристалла, как бы закрывает соответствующий участок этой поверхности от молекул основного вещества. [24]
Как видно из полученного уравнения, если поверхность растущих кристаллов тоже существенно влияет на скорость кристаллизации, F является сложной функцией абсолютного пересыщения раствора. Выражение ( 52) целесообразно использовать лишь в начальный период кристаллизации, когда размеры кристаллов еще малы. [25]
Естественно, что жидкость, находящаяся вблизи поверхности первых растущих кристаллов, обеднена компонентом В. Однако при медленной кристаллизации благодаря тепловым потокам и диффузии состав жидкости во всем объеме тоже успевает выравняться. При окончании кристаллизации состав сплава во всем объеме отвечает исходному. В таких особых условиях, далеких от существующих на практике, получаемые слитки должны отличаться высокой степенью химической однородности по всему объему. Естественно, что в реальных условиях в процессе охлаждения сплавов в изложницах равновесие между двумя фазами, отвечающее диаграмме состояния, не успевает устанавливаться. [26]
Теоретическое представление Френкеля о движении изолированных атомов по поверхности растущего кристалла прочно вошло в физику твердого тела. [27]
Кристаллизационное давление возникает в результате фазового превращения на поверхности растущего кристалла. Поэтому энергетически оно связано с энергией, высвобождаемой при фазовом превращении. Рассматривают полное и частичное кристаллизационные давления. Последнее соответствует условиям, при которых не достигается предельное значение кристаллизационного давления. Наибольшее давление ( отталкивание) создает равновесная грань, растущая по слоевому механизму роста. Наименьшее отталкивание наблюдается при росте кристалла по нормальному механизму. [28]
 |
Грань ( 100 кристалла с простой кубической решеткой [ Verma, 1953 ]. Л - положение повторимого шага. [29] |
На рис. VI.1 и VI.2 показаны характерные особенности поверхности растущего кристалла. Каждый кубик на рисунке изображает молекулу, находящуюся в положении равновесия. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5