Поверхность - растущий кристалл
Cтраница 4
Механизм внутренней адсорбции представить себе нетрудно: соответствующие ионы, адсорбированные на поверхности растущих кристаллов осадка и не успевшие своевременно покинуть эту поверхность, оказываются отрезанными от раствора вследствие отложения новых слоев вещества. [46]
Механизм внутренней адсорбции представить себе нетрудно: соответствующие ионы, адсорбированные на поверхности растущих кристаллов осадка, оказываются отделенными от раствора вследствие отложения новых слоев вещества. [47]
Это в свою очередь свидетельствует о различиях в механизме адсорбционных процессов на поверхностях растущего кристалла. [49]
 |
Схема устройства ячейки трубчатого скребконого кристаллизатора. [50] |
Дальнейший рост кристалла на центре кристаллизации связан с доставкой молекул кристаллизующегося вещества к поверхности растущего кристалла. [51]
Если в маслах содержатся соединения с парафиноподобными структурами, то парафины окклюдируются на поверхности растущих кристаллов. При наличии боковых групп у этих структур такие группы препятствуют сближению молекул парафина и при этом предотвращается рост и агломерация кристаллов в сетчатые структуры. Депрессорные присадки улучшают низкотемпературные свойства масел, воздействуя только на кристаллизующиеся частицы твердых углеводородов, не влияя на характер изменения вязкости масла с температурой. Вместо игольчатых и пластинчатых кристаллов в присутствии таких присадок образуются сферические кристаллы, которые в меньшей степени препятствуют подвижности минерального масла. [52]
Правда, это не совсем точная формула, потому что концентрация вещества у поверхности растущего кристалла С4 не равна Су Но определение этой концентрации затруднено. Она, как правило, неизвестна. [53]
Таким образом, для образования смешанных кристаллов нового рода необходимо, чтобы на поверхности растущего кристалла было адсорбировано рядом такое число ионов второго компонента, при котором они сами образовали бы участок своей решетки. Отсюда неизбежным следствием является нижняя граница образования у смешанных кристаллов нового рода, на существование которой впервые обратили внимание В. Действительно, если концентрация хотя бы одного из ионов второго компонента слишком мала, то вероятность адсорбции рядом нескольких катионов и анионов этого компонента становится очень небольшой и поэтому смешанные кристаллы не смогут образоваться. Молярная концентрация ионов SOJ колебалась от 0.01 до 0.4. На основании произведенных в последние годы определений растворимости сернокислого радия в растворах, содержащих ионы SO j [ 10 ], можно вывести заключение, что Хлопин и Никитин работали с пересыщенными растворами RaSO4, причем максимальное пересыщение в их опытах доходило до 30 - 40 раз. При ничтожных концентрациях одного из ионов сильно пересыщенные растворы могут быть устойчивыми в течение долгого времени. Это лишний раз доказывает, что в таких условиях RaSO4 если и может образовать свою решетку, то только за очень длительный промежуток времени. [54]
Определенные трудности возникают при использовании уравнения (1.48) для расчета скорости присоединения вещества к поверхности растущего кристалла. Входящая в него величина пересыщения неизвестна и меняется по поверхности кристалла и следовательно должна меняться скорость роста. [55]
Разница между величинами энергии, освобождающейся при осаждении новых атомов на различных участках поверхности растущих кристаллов, не особенно велика. Поэтому практически регулярный рост кристаллов происходит только тогда, когда электродный потенциал незначительно отличается от равновесного. В противном случае относительно небольшое преимущество регулярности роста кристалла утрачивается - на электроде появляется много новых кристаллов, растущих в направлениях, отличающихся от первоначальных. Размеры этих кристаллов остаются все же небольшими, так как образование новых кристалликов энергетически более выгодно, чем регулярный рост прежних. В этих условиях происходит осаждение металла в виде проросших друг в друга микроскопических кристаллов, образующих макроскопически равномерное гладкое покрытие. Таким образом, вместо монокристаллической поверхности мы получаем поликристаллическую, что не всегда следует рассматривать как недостаток; в ряде случаев, например при изготовлении гальванических покрытий, это большое достоинство. [56]
Многочисленные исследования показали, что действие добавок связано с явлениями адсорбции и блокирования поверхности растущих кристаллов металла. [57]
Студни могут проявлять себя и как защитные вещества, когда вещество студня адсорбируется на поверхности растущего кристалла и тем самым парализует дальнейший рост последнего. [58]
 |
Схема прибора для моделирования созревания. [59] |
Причиной перераспределения примеси при созревании является возникновение потока растворяющегося вещества, компенсирующего поток на поверхность растущих кристаллов. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5