Повышение - температура - подложка
Cтраница 1
Повышение температуры подложки уменьшает Nt, а следовательно, л структурный беспорядок. [1]
Повышение температуры подложки и уменьшение скорости конденсации увеличивают толщину монокристального слоя. Установлено, что структура осадка зависит от совершенства поверхности подложки. [2]
С повышением температуры подложки скорость миграции атомов увеличивается и устойчивым оказывается лишь относительно небольшое количество зародышей, наиболее прочно закрепленных на поверхности, которые, разрастаясь, создают крупнозернистую структуру пленки. [3]
 |
Электронномикроскопический снимок ( а. ХЗОООО и электроно-грамма от пленки CaF2 / NaCi ( б, Г 400ч - 41 ( г С. [4] |
С повышением температуры подложки до 400 С наряду с произвольной ориентировкой появляется текстура. Часть кристаллов имеет ориентировку типа ( НО) [001] MgF2 ( 100) [001] NaCl, другие ориентировки не определены. [5]
С повышением температуры подложки высота фигур роста уменьшается. При температуре подложки 1170 С высота уступов составляет около 0 5 мк. [6]
 |
Изменение инкубационного периода т в зависимости от интенсивности пучка SiH4 при росте кремния на грани ( 111 своего монокристалла и in830 5 С. [7] |
С повышением температуры подложки инкубационный период сокращается, однако количественное соотношение между ними не установлено. [8]
При повышении температуры подложки ( 50, 70 и 90) количество таких частиц уменьшается. [9]
При повышении температуры подложки до 350 С в пленках на аморфных подложках происходило изменение текстуры, в результате которого плоскости ( 0001) зерен ориентировались параллельно подложке. [10]
При повышении температуры подложки до 200 - 250 С расстояние между границами возрастает в 15 - 20 раз и сами границы становятся более регулярными [172], что приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов и снижению их легирующего действия. [11]
При повышении температуры подложки до 350 С в пленках на аморфных подложках происходило изменение текстуры, в результате которого плоскости ( 0001) зерен ориентировались параллельно подложке. [12]
При повышении температуры подложки до 200 - 250 С расстояние между границами возрастает в 15 - 20 раз и сами границы становятся более регулярными [172], что приводит к резкому уменьшению концентрации электрически активных дефектов и снижению их легирующего действия. [13]
 |
Изменение пористости р ( 1, плотности 8 ( 2 и прочности сцепления покрытия с подложкой oja3p ( 3 в зависимости от температуры подложки. [14] |
Кроме того, повышение температуры подложки вызывает физико-химические изменения в приконтактной зоне покрытия с подложкой. Электронномикроскопическим исследованием показано, что при напылении окиси алюминия на холодную подложку контакт покрытия и подложки резко выражен по всей границе стыка и представляет собой полость шириной 0.5 - 1.0 мкм. При подогреве подложки до 600 С и выше наблюдается переходная зона, не имеющая четких границ. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5