Повышение - температура - подложка - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Скромность украшает человека, нескромность - женщину. Законы Мерфи (еще...)

Повышение - температура - подложка

Cтраница 2


16 Конструкция испарительной камеры с дополнительным источником пара для получения пленок РЬ1 - 8пЛе методом горячей. [16]

Увеличение скорости конденсации пленок вызывает необходимость повышения температуры подложек с целью обеспечения выращивания монокристаллических пленок.  [17]

18 Электронно-микроскопический снимок и электронограмма поликристаллической пленки платины, напыленной на стекло при 273 К. [18]

Кроме того, величина кристаллитов увеличивается при повышении температуры подложки в процессе напыления пленки; это сопровождается также снижением величины R вследствие общего сглаживания поверхности пленки и исчезновения щелей между кристаллитами.  [19]

Рассмотренные примеры показывают, что во многих случаях повышение температуры подложки при нанесении на нее покрытий нежелательно, поэтому важным является анализ причин, вызывающих такой нагрев, и путей стабилизации температуры подложки.  [20]

21 Изменение температуры полиэтилена ( Г и стали ( 2 толщиной 0 4 мм в процессе нанесения алюминиевого покрытия ( VK - 0 5 мкм / с.| Изменение температуры стальной полосы толщиной 0 25 мм при нанесении на нее алюминиевого покрытия ( 1 мкм в зависимости от мощности испарителя промышленного агрегата ЕВА-400 ( ГДР. [21]

Учет теплового потока излучения испарителя приводит к некоторому повышению температуры подложки. Арденне ( ГДР), видно, что эта составляющая увеличивается по мере понижения мощности нагрева испарителя, а следовательно, и температуры испарения. Это происходит за счет относительного увеличения теплоты излучения по сравнению с теплотой конденсации при низких температурах, что полностью согласуется с результатами, полученными выше.  [22]

Увеличение толщины фольги требует удлинения времени конденсации и приводит к повышению температуры подложки, при этом значительную роль начинают играть вторичные процессы упорядочения структуры, приводящие к понижению прочности и увеличению пластичности. Зависимость свойств от толщины конденсатов проявляется обычно до толщины порядка 1 - 3 мкм; в более толстых конденсатах решающую роль начинают играть условия их получения и прежде всего температура подложки при конденсации пара, а также температура и время последующего отжига. Свойства медных конденсатов подробно исследованы в многочисленных работах Л. С. Палатника и его сотрудников, однако использованные для получения конденсатов режимы и параметры, в частности, низкие скорости конденсации при испарении из алундовых стаканчиков, длительное время нанесения ( до нескольких часов) и большие толщины ( до 1 мм) неприемлемы для получения фольги методом испарения в вакууме.  [23]

24 Зависимость концентрации хлора Cci в пленках CdS, осаждаемых методом пульверизации с последующим пиролизом, от температуры подложки Тп. [24]

Как показано на рис. 2.6, концентрация хлора в пленках CdS уменьшается при повышении температуры подложки в процессе пиролиза. Существование этой закономерности приводит к тому, что вследствие охлаждения поверхности растущей пленки концентрация хлора на поверхности возрастает.  [25]

Из рисунка видно, что на поверхности подложки наблюдаются каплеподобные конуса роста, увеличивающиеся с повышением температуры подложки от 350 до 600 - 700 С. При этом, чем выше температура карбонила, тем при более низкой температуре происходит увеличение их размеров. При дальнейшем повышении температуры карбонила крупные каплеподобные образования начинают делиться, распадаются и при 800 - 900 С уже вся подложка представляет собой поверхность, состоящую из ярко выраженных мелких кристаллов.  [26]

27 Сечение пленки, напыленной на шероховатую по - У верхность. [27]

Поскольку величина коэрцитивной силы зависит от константы одноосной анизотропии пленки, то наблюдается снижение Нс при повышении температуры подложки Тп до 200 С. Рост Нс при Тп 200 С, вероятно, обусловлен увеличением количества несовершенств в пленке и повышением размеров кристаллитов.  [28]

Для получения стабильных пленок при вакуумном напылении необходимо повышать скорость напыления, а размеры зерен пленки увеличивать за счет повышения температуры подложки при напылении и отжиге.  [29]

Электрические свойства гетеропереходов ( ГП) так же, как и структура приграничного слоя Се, немонотонно изменяются с повышением температуры подложки. Диоды, изготовленные из образцов с 480 С 71П 520 С, обладают промежуточными характеристиками. Увеличение Та до 580 С повышает уобр, а при 71П600 С ГП не обладают выпрямляющими свойствами.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5