Повышение - температура - подложка
Cтраница 3
В работах [171, 172, 174, 176] установлено что эпитаксиалъ-ный рост пленок твердых растворов ( Bi, Sb) Te3 и Bi2 ( Te, Se) & на слюде начинается при повышении температуры подложки до 100 - 150 С. При этих температурах в неориентированной по-ликристаллической мелкозернистой структуре ( размеры зерен около 10 нм) начинается зарождение текстуры с ориентацией плоскостей спайности зерен параллельно подложке. При температурах подложки 200 - 250 С эта текстура доминирует ( на электронограммах исчезают кольца), одновременно наблюдается рост зерен. [31]
В работах [171, 172, 174, 176] установлено, что эпитаксиаль-ный рост пленок твердых растворов ( Bi, Sb) Te3 и Bi2 ( Te, Se) & на слюде начинается при повышении температуры подложки до 100 - 150 С. При этих температурах в неориентированной по-ликристаллическбй мелкозернистой структуре ( размеры зерен около 10 нм) начинается зарождение текстуры с ориентацией плоскостей спайности зерен параллельно подложке. При температурах подложки 200 - 250 С эта текстура доминирует ( на электронограммах исчезают кольца), одновременно наблюдается рост зерен. [32]
В отличие от приведенных выше данных об ориентации пленок ( Bi, Sb) 2Te3 в [177] при температурах подложки ниже 300 С наблюдалась ориентация плоскостей ( 0115) параллельно подложке, сменявшаяся при повышении температуры подложки до 400 С ориентацией ( 0001) пленки ( 0001) слюды. Эта особенность в ориентации пленок в [ 177 может быть связана с присутствием свободного теллура в обращенных к подложке слоях пленок R [177], поскольку в данном случае напыление производилось путем постепенного испарения шихты. Возможно, что свободный теллур экранировал эпитаксиальное влияние слюды. [33]
В отличие от приведенных выше данных об ориентации пленок ( Bi, Sb) 2Te3 в [177] при температурах подложки ниже 300 С наблюдалась ориентация плоскостей ( 0115) параллельно подложке, сменявшаяся при повышении температуры подложки до 400 С ориентацией ( 0001) цленки ( 0001) слюды. Эта особенность в ориентации пленок в [ 177 может быть связана с присутствием свободного теллура в обращенных к подложке слоях пленок в [177], поскольку в данном случае напыление производилось путем постепенного испарения шихты. Возможно, что свободный теллур экранировал эпитаксиальное влияние слюды. [34]
 |
Зависимости скорости роста пленки CdS, осаждаемой методом пульверизации с последующим пиролизом, от скорости распыления раствора и температуры подложки ( Ти. [35] |
Содержащиеся в химически инертных подложках подвижные ионы щелочных и редкоземельных металлов, в том числе Li, Na, Ca2, Sr2 и Mg2, могут внедряться в пленку [47], причем их концентрация будет увеличиваться с повышением температуры подложки. [36]
 |
Поверхность пленок РЬТе на слюде при Тп 390 С ( а, 410 С. [37] |
Исследования [135] структуры пленок, напыленных при разных температурах подложкц и постоянной скорости роста 0 5 нм / с, показали, что при температуре подложки 40 - 170 С образуется мелкозернистая структура, при температуре 170 С на поверхности пленки появляются канавки, которые при повышении температуры подложки до 250 С становятся сходными с рассмотренными выше выходами двойниковых границ на поверхность пленки. Помимо этого, на гладких участках пленки при температуре подложки 230 С наблюдаются небольшие треугольные пятна, являющиеся выходами отдельных дислокаций на поверхность пленки. При температуре подложки 250 С эти пятна исчезают. [38]
 |
Поверхность пленок РЬТе на слюде при Ти 390 С ( а, 410 С ( б и 420 С ( в при увеличении 15 000. [39] |
Исследования [135] структуры пленок, напыленных при разных температурах подложки и постоянной скорости роста 0 5 нм / с, показали, что при температуре подложки 40 - 170 С образуется мелкозернистая структура, при температуре 170 С на поверхности пленки появляются канавки, которые при повышении температуры подложки до 250 С становятся сходными с рассмотренными выше выходами двойниковых границ на поверхность пленки. Помимо этого, на гладких участках пленки при температуре подложки 230 С наблюдаются небольшие треугольные пятна, являющиеся выходами отдельных дислокаций на поверхность пленки. При температуре подложки 250 С эти пятна исчезают. [40]
При проведении пиролиза в условиях низкого давления паров или при получении большого количества продуктов реакции разложения подложку необходимо нагревать до более высокой температуры. Повышение температуры подложки благоприятно сказывается на качестве кристаллической структуры, стехиометрии, степени чистоты и адгезии осаждаемого слоя. [41]
Данные табл. 6 - 9 позволяют установить связь между физико-технологическими условиями препарирования и концентрацией ростовых ДУ. Повышение температуры подложки снижает, а повышение скорости осаждения увеличивает концентрацию ростовых дефектов упаковки. Толщина пленок в диапазоне значений 0 5 - 2 мкм не оказывает заметного влияния на концентрацию ДУ. Из табл. 6 - 9 видно, что при прочих равных условиях концентрация ДУ в пленках чистого никеля ниже, чем в его сплавах с железом. Отжиг значительно снижает концентрацию дефектов упаковки, однако не столь эффективно, как в опилках. [42]
С увеличением скорости роста благодаря повышению концентрации Gel 4 ямки травления на поверхности заменяются пирамидами роста. Повышение температуры подложки уменьшает плотность пирамид, что приводит к образованию относительно гладкой поверхности. Увеличение скорости потока оказывает такой же эффект, как и повышение концентрации. [43]
 |
Зависимость удельного сопротивления пленок хрома от толщины пленки и температуры подложки. [44] |
С возрастанием толщины преобладающими дефектами становятся границы между зернами, а также молекулы поглощенного газа. С повышением температуры подложки размер зерна увеличивается, количество поглощенного газа уменьшается и удельное сопротивление пленки падает. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5