Cтраница 5
Для эпитаксиальных пленок CdS характерна очень высокая подвижность носителей. Электрические свойства пленок CdS, эпитаксиально осаждаемых на подложки из GaAs при осуществлении химической транспортной реакции в квазизамкнутом объеме [151], в значительной степени зависят от условий их выращивания, причем наиболее существенно - от температуры подложки. При повышении температуры подложки концентрация носителей возрастает по экспоненциальному закону. При этом также увеличивается подвижность электронов. [61]
Не вызывает сомнения, что именно возникающая при подогреве подложки зона химического контакта обеспечивает повышение прочности сцепления покрытия с подложкой. Изменения в морфологии излома с повышением температуры подложки, начиная с 400 С, фактически не наблюдается. Границы зерен в изломе не проявляются. В покрытиях, получаемых при подогреве подложки до температур 1500 - 2000 С, наблюдаются оплавленные стекловидные участки. [62]