Повышение - температура - подложка
Cтраница 4
Показатель преломления п пленок a - Si: Н приблизительно равен показателю преломления кристаллического кремния. При повышении температуры подложки от 195 до 420 С ( концентрация водорода при этом снижается с 40 до 10 %) значение п увеличивается примерно на 5 %, что согласуется с наблюдаемым уменьшением ширины запрещенной зоны [56] - Бродски и Лиари [11] исследовали влияние температуры на показатель преломления осаждаемых в тлеющем разряде пленок собственного и легированного a - Si: Н и установили, что при введении легирующей примеси характер температурной зависимости п изменяется незначительно, причем для аморфного и кристаллического кремния эти зависимости совпадают. [46]
 |
Конструкция металлопле - тивлением И НИЗКИМ ночного резистора. ТКС Удовлетворитель. [47] |
Наилучшие свойства пленки получают при осаждении сплава с одновременным его окислением. При повышении температуры подложек до 300 С и разрежении 5 - 10 - 4 мм рт. ст. пленки из хромоникелевого сплава довольно хорошо окисляются в широком диапазоне скоростей осаждения. Осадок приобретает свойства полупроводника с малым ТКС и имеет высокую стабильность, так как дефекты структуры отсутствуют благодаря большой подвижности атомов металла при высокой температуре. Величину разрежения в вакуумной камере регулируют. [48]
 |
Зависимость сопротивления от температуры тонкой пленки, показывающая необратимое увеличение сопротивления, связанное со спеканием. [49] |
В главе 8 отмечалось, что на ранних стадиях роста тонкие пленки состоят из отдельных островков, которые во многом напоминают жидкие капельки. По мере повышения температуры подложки угол контакта между капелькой и подложкой уменьшается и капельки увеличиваются в размере. Пленки, осажденные при низких температурах, состоят из меньших капелек, так как частицы пленки имеют более низкую подвижность и остаются примерно там, где они осели на подложке. [50]
При возникновении пленок данной кристаллической или аморфной модификации слишком низкие температуры подложки и слишком высокие скорости осаждения ведут к возникновению пленок с дефектами. Снижение скорости осаждения и повышение температуры подложки влекут за собой улучшение структур пленок. [51]
 |
Спектральная зависимость коэффициента оптического поглощения. 1 - 3 мк - Si, полученного методом молекулярно-лучевого осаждения ( температура подложки, С. [52] |
Обнаружено, что при повышении температуры подложки Гподл растет интенсивность отражения ( 220), интенсивность других дифракционных максимумов падает с одновременным уменьшением их полуширины. [53]
 |
Зависимость критической температуры танталовой и ниобиевой пленок от отношения сопротивлений. [54] |
Захват кислорода пленкой уменьшается также при повышении температуры подложки, вследствие уменьшения коэффициента прилипания кислорода. [55]
Как видно из рис. 1 ( см. вклейку), с повышением температуры подложки размер кристаллов карбида титана увеличивается, а их число на единицу поверхности уменьшается, что согласуется с известным положением об уменьшении пересыщения с повышением температуры и скорости образования центров кристаллизации. [56]
С электропроводность возрастает более чем на три порядка. Поскольку коэффициент термо - ЭДС при: этом изменяется сравнительно слабо ( рис. 2.25), изменение удельной электропроводности связано в первую очередь не с изменением концентрации носителей, а с резким ростом подвижности вызванным улучшением структуры пленок при повышении температуры подложки. Крайне низкая подвижность носителей заряда в пленках, полученных при температурах подложки, близких к комнатной, объясняется их сильной дефектностью из-за высокой скорости конденсации. [57]
Важным фактором воспроизводимости параметров пленочных элементов и улучшения их электрических свойств является чистота пленки. Загрязнения напыленной пленки происходят вследствие некачественной очистки поверхности подложки ( в частности и от адсорбированных газов), недостаточно высокого вакуума ( имеет значение и состав остаточного газа) и низкого давления насыщенного пара материала испарителя при температуре испарения. Повышение температуры подложки и скорости испарения способствует десорбции газа из пленки и улучшает ее состав. [58]
Па примере получения хромовых покрытии термическим разложением ареновых л-комплексов хрома 26 ] было показано, что оптимальная температура образования металлического покрытия лежит, как правило, на 100 - 150 С выше температуры разложения исходного МОС. При температурах подложки, близ - у д / се ких к температуре разложения исходного хром-органического вещества, скорость образования пленок незначительная и образуется неравномерное и нссплошное покрытие. Повышение температуры подложки приводит к увеличению скорости роста покрытия, однако но достижении определенной температуры скорость образования становится постоянной. [59]
Фазовый состав зависит еще и от материала подложки, а также атмосферы, в которой ведут процесс. По данным Эскоффери [37], на слюде при tK 250 С образуются пленки с гексагональной структурой, а на ориентированной молибденовой фольге при tK 175 С отмечаются преимущественно кубические кристаллы. Повышение температуры молибденовой подложки до 200 - 250 С приводило к кристаллизации главным образом гексагональной фазы со снижением степени ориентированности. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5