Собственное поглощение

Cтраница 1

Край собственного поглощения.| Положение края собственного поглощения в полупроводниках A 1BV.| Край собственного поглощения фосфида галлия. [1]

Собственное поглощение определяется межзонными переходами электронов из заполненной зоны в свободную. Так как в полупроводнике имеется много заполненных и свободных зон, каждая из которых состоит из нескольких подзон, то в спектрах фундаментального поглощения наблюдаются полосы собственного поглощения. Форма края собственного поглощения зависит в первую очередь от структуры энергетических зон. [2]

Собственное поглощение возможно при условии, что ftu A. Оно наблюдается в видимой и ближней инфракрасной областях в зависимости от ширины запрещенной зоны. [3]

Собственное поглощение приводит к генерации пары свободных носителей заряда - электрона и дырки. [4]

Собственное поглощение возможно при условии, что / to A. Оно наблюдается в видимой и ближней инфракрасной областях в зависимости от ширины запрещенной зоны. [5]

Собственное поглощение приводит к генерации пары свободных носителей заряда - электрона и дырки. [6]

Собственное поглощение возможно при условии ftv ДЗ и связано с генерацией электронно-дырочных пар при воздействии излучения. Форма края основной полосы поглощения соединений А В зависит от механизма переброса электронов из валентной зоны в зону проводимости и определяется структурой энергетических зон полупроводника. Если экстремумы валентной зоны и зоны проводимости соответствуют одному значению волнового вектора, осуществляются прямые межзонные переходы без изменения импульса электрона. В том случае, когда экстремумы не совпадают в й-пространстве, основную роль играют непрямые межзонные переходы, связанные с изменением импульса электрона в результате его взаимодействия с решеткой. [7]

Собственное поглощение обусловлено переходами элект - ронов из валентной зоны в. [8]

Собственное поглощение света в полупроводниках. [9]

Собственное поглощение приводит к генерации пары носителей заряда - электрона и дырки. [10]

Спектральные потери в кварцевом волоконном световоде. [11]

Собственное поглощение вызывается взаимодействием распространяющейся световой волны с одним или несколькими компонентами веществ, входящих в состав материала сердцевины и оболочки волокна. В этом случае поглощение световой энергии происходит за счет возбуждения электронной энергетической подсистемы вещества, или возбуждения колебательных уровней энергии молекул компонент материала. В чистом плавленом кварце, основном материале, используемом для производства волоконных световодов, электронные переходы соответствуют поглощению в ультрафиолетовой области спектра - 0 14 мкм. Поглощение света при возбуждении колебательных уровней энергии происходит в инфракрасном диапазоне спектра излучения. В частности, в молекуле SiO-2 поглощение происходит на колебательных связях Si-O, которым соответствует переход с длиной волны - 9 2 мкм. Вследствие ангармонизма колебаний, возможно поглощение излучения и на комбинационных частотах, соответствующих длинам волн 3 2; 3 8 и 4 4 мкм. За пределами обозначенных значений длин волн коэффициент поглощения излучения спадает экспоненциально. [12]

Собственное поглощение света приводит к генерации электронов и дырок в равных количествах: 8п ор. Экситонное поглощение приводит к созданию связанной пары электрон - дырка, являющейся электрически нейтральным образованием, поэтому экситонное поглощение непосредственно не увеличивает концентрации носителей заряда. [13]

Собственное поглощение элементов отсутствует. [14]

Зависимость величины дифракционных потерь от приведенного акустического пути в ближней ( а и дальней ( б зонах от излучателя. Пунктиром показан рост потерь при сферическом распространении звука [ Л. 8, 9 ]. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5