Собственное поглощение

Cтраница 2

Собственное поглощение среды определяется как разность между измеренным и дифракционным ( соответствующим данному опорному максимуму) затуханиями. Однако наблюдение дифракционных максимумов на серии эхо-сигналов можно легко осуществлять только при возможности непрерывного изменения акустического пути, что характерно для исследований жидкостей, а не твердых тел. На практике положение дифракционных минимумов и максимумов давления на акустическом пути редко совпадает с положением принятого эхо-сигнала. [16]

Спектры люминесценции Nd34 в ИАГ. а - в области 1 06 мкм, в правом верхнем углу изображена структура уровней 4F3 / s и 41ц / 2 и переходы, ответственные за соответствующие полосы люминесценции. б - в области 0 9 мкм для переходов Рз / г - - 419 / 2. энергия 88 см - соответствует расщеплению уровня 4F3 / 2Nd3 в ИАГ. [17]

Непосредственно собственное поглощение ИАГ начинается в области К 0 2 мкм. Однако вблизи края фундаментальной полосы довольно часто наблюдается дополнительное поглощение, обусловленное остаточными примесями или какими-либо другими дефектами в кристалле, которое ограничивает коротковолновый предел оптической прозрачности ИАГ. Для различных кристаллов эта величина, как видно из рис. 25.19, б, может быть различной. [18]

Устройство для получения горизонтального пламени органического. [19]

Собственное поглощение органических растворителей является отрицательным фактором, поскольку оно играет в атомно-абсорбционном анализе роль фона, учет которого в любом случае вносит дополнительные погрешности в результаты анализа. С этой точки зрения для создания горизонтального пламени наиболее выгодно применять растворители с наименьшим собственным поглощением, однако это возможно не во всех случаях. Так, при разработке методов извлечения меди часто применяют метилэтилкетон, ацетил-ацетон и другие растворители, собственное поглощение которых при длине волны 325 ммк сравнительно велико. [20]

Собственное поглощение при прямых ( а и непрямых ( б межзонных переходах. [21]

Рассмотрим собственное поглощение при прямых ( вертикальных) межзонных переходах для полупроводника со стандартной зоной. [22]

Поскольку собственное поглощение чистого ниобата лития невелико, при использовании многофотонного процесса фотоионизации электронов возможна голографическая запись, дифракционная эффективность которой приближается к 100 % ( гл. Легирование LiNbO3 примесями переходных металлов для улучшения чувствительности к голографической записи приводит к экспоненциальному уменьшению т ] с увеличением коэффициента поглощения. [23]

Теория собственного поглощения, рассмотренная в предыдущих разделах, не учитывала кулоновского притяжения в возбужденной электронно-дырочной паре. При поглощении фотона в изолирующих материалах кулоновское притяжение может привести к образованию возбужденного состояния, в котором электрон и дырка остаются связанными друг с другом в водоро-доподобном ( или подобном позитронию) состоянии. Энергия образования этого возбужденного состояния, называемого экси-тоном, меньше ширины запрещенной зоны, поскольку последняя представляет собой минимальную энергию, требуемую для создания разделенной электронно-дырочной пары и, следовательно, для возникновения фотопроводимости. Экситон может двигаться по кристаллу, но, поскольку электрон и дырка движутся вместе, фотопроводимость при этом не возникает. [24]

Показатель преломления и низкочастотная диэлектрическая проницаемость. [25]

Край собственного поглощения находится в области очень больших длин волн. [26]

Спектр собственного поглощения достаточно широк, так как при поглощении фотонов с энергией, превышающей ширину запрещенной зоны, электроны могут переходить на более высокие энергетические уровни, лежащие дальше от дна зоны проводимости. Эти свободные электроны, обладающие более высокой энергией - горячие электроны - в процессе движения за некоторое среднее время tp рассеивают избыток энергии на кристаллической решетке и опускаются на более низкие свободные энергетические уровни вблизи дна зоны проводимости. [27]

Поглощение света свободными носителями заряда. [28]

Край собственного поглощения в полупроводниках Несколько смещается под действием давления, вызывающего изменение постоянной решетки, а вместе с ней и энергетической структуры полупроводника. При всестороннем сжатии-изменение Eg может быть и положительным, и отрицательным. [29]

Изучение собственного поглощения пламени показало, что ослабление светового пучка, пересекающего пламя, происходит в основном за счет рассеяния света аэрозолем органического растворителя. Рассеяние света является, как известно, неселективным эффектом и при использовании источника сплошного излучения может быть учтено теми же приемами, что и учет фона в эмиссионном методе анализа, т.е. промером оптической плотности пламени при длине, близкой к длине волны абсорбционной линии определяемого элемента. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5