Собственное поглощение

Cтраница 4

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. [46]

Первая полоса собственного поглощения этих кристаллов при комнатной температуре имеет максимум при 5 63 эв. Под действием света в указанной спектральной области возбуждается по данным Тиигардена люминесценция, спектр которой состоит из одной полосы с максимумом при 3 3 эв. В спектре возбуждения наблюдаются два резких пика - при 5 75 и 6 0 эв. При указанной температуре по измерениям Фесефельда [25] как раз наблюдается максимум полосы поглощения. Образование упомянутого минимума легко объясняется наличием процессов тушения. В самом деле, в максимуме полосы поглощения свет поглощается только в поверхностном слое толщиной около 0 1ц, в котором велика концентрация микродефектов структуры, вызывающих тушение люминесценции. [47]

Поэтому спектр собственного поглощения имеет четко выраженную границу, называемую красной границей фотоэффекта и определяемую соотношением Хгр с / г / А. [48]

В результате собственного поглощения в полупроводнике образуются пары подвижных электрических зарядов: дырка в валентной зоне и электрон в зоне проводимости. [49]

Схема установки Вернейля для бестигельного выращивания кристаллов тугоплавких веществ. [50]

Длинноволновая граница собственного поглощения 1п2О3 лежит около 0 35 мк, что соответствует 3 54 эв. [51]

Зависимость а от / iv в кремнии.| Зависимость ц от hv в области его малых значений. [52]

На край собственного поглощения существенно влияют сильное электрич. [53]

В области собственного поглощения линейно поляризованный свет превращается в эллиптически поляризованный. [54]

На краю собственного поглощения по мере уменьшения длины волны излучения коэффициент поглощения возрастает, что ведет к росту фотомагнитного тока. Однако по сравнению с фотопроводимостью рост фотомагнитного тока начинается при больших энергиях фотонов и происходит более круто. Это связано с тем, что для возникновения фотомагнитоэлектрического эффекта необходима не только генерация носителей заряда, но и возникновение градиента их концентрации, что возможно лишь в том случае, когда поглощение света происходит в приповерхностной области образца. Из соотношений (4.73) и (4.74) следует, что при aLl ток короткого замыкания в два раза меньше, чем при а - - оо. Это справедливо при любой скорости поверхностной рекомбинации. В отличие от / фмэ фотопроводимость уменьшается вдвое при значении aL, зависящем от других параметров. [55]

Два типа пространственных флуктуации потенциала в зоне проводимости и валентной зоне. о - параллельные. б - антипарал-лельные ff. [56]

Положение края собственного поглощения сдвигается в сторону меньших энергий. [57]

Скрытую из-за собственного поглощения нуйола) привели Пайпера и Уилкинсона [163] к выводу, что, в то время как одна группа CSH5 связана с железом я-связью, вторая группа С5НБ связана а-связыо, как алкильная группа; это предположение было впоследствии подтверждено данными по спектру протонного магнитного резонанса [165] и получением многочисленных соединений типа [ М ( я - С5Н5) ( СО или NO R ], где МСг, Fe, Мо или W, a R алкильная группа, Н или галоген. [58]

Температурная зависимость структуры первой полосы собственного. [59]

В спектре собственного поглощения указанных пленок обнаружены четыре узкие полосы, расположенные в интервале всего лишь 0 5 эв. Длинноволновые максимумы, являющиеся менее интенсивными чем коротковолновые, нельзя рассматривать в виде аналогов аир полос. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5