Cтраница 5
![]() |
Зависимость коэффициента поглощения в длинноволновом спаде в спектре KBr от величины деформирующей нагрузки ( 36. [61] |
Первая полоса собственного поглощения щелочно-галоидных кристаллов не обрывается резко в ее длинноволновой части, а простирается в виде отрога сравнительно далеко в сторону длинных волн. [62]
Фоторезисторы с собственным поглощением имеют высокий коэффициент аф. Коэффициент поглощения примесных фоторезисторов составляет несколько отрицательных сантиметров. Но даже при таком ф концентрация примесей в фоторезисторах должна быть не менее 1017 - 1018 см-3. Постоянные времени фоторезисторов в зависимости от чувствительности изменяются в пределах - от К) - 2 с для наиболее чувствительных до 10 - 9с для малочувствительных. [63]