Собственное поглощение

Cтраница 3

Значения D и соответствующие им значения т. [31]

Спектры собственного поглощения стекол, не содержащих в значительных количествах красящих примесей, характеризуются границей пропускания, определяемой А пр. [32]

Зависимость положения минимумов осцилляции в спектре пропускания для InSb при температуре 300 К от магнитного поля. Первый уровень Ландау с п О расщеплен спин-орбитальным взаимодействием. [33]

Осцилляции собственного поглощения света в магнитном поле - межзонное магнетопоглощение, обусловленное переходами между уровнями Ландау валентной зоны и зоны проводимости. [34]

А - правильный способ заполнения закрытой кюветы. Б - установка. [35]

Области собственного поглощения обычных растворителей и веществ, используемых для приготовления паст, приведены на рис. 5.6. При приготовлении паст не обязательно, чтобы исследуемое вещество хорошо смешивалось с растворителем. [36]

По собственному поглощению на пластинке в коротковолновом УФ-свете можно определить 3 ] г кислоты, которая после непродолжительного нагревания до 120 при 365 мц флуоресцирует голубоватым светом. Нижний предел чувствительности с иодоплатинатом ( желтоватое пятно на розовом фоне), фосфорномолибденовой кислотой ( серо-синее пятно) и смесью молибдат аммония - цитратный буфер ( голубое пятно) - величина того же порядка, а щелочной раствор нитрата серебра ( реактив № 137) ( серо-черное пятно) является менее чувствительным. [37]

По собственному поглощению на пластинке в коротковолновом УФ-свете можно определить 3 цг кислоты, которая после непродолжительного нагревания до 120 при 365 мц флуоресцирует голубоватым светом. Нижний предел чувствительности с иодоплатинатом ( желтоватое пятно на розовом фоне), фосфорномолибденовой кислотой ( серо-синее пятно) и смесью молибдат аммония - цитратный буфер ( голубое пятно) - величина того же порядка, а щелочной раствор нитрата серебра ( реактив № 137) ( серо-черное пятно) является менее чувствительным. [38]

Однако собственным поглощением в растворах в видимой части спектра обладает лишь ограниченное число веществ. Поэтому в спектрофотометрии используют различные химические реакции образования соединений, которые поглощают излучение. Чаще всего используются реакции комплексообразования. Определяя оптимальные условия проведения фотометрических реакций, химик-аналитик прежде всего вынужден изучить процессы комплексообразования. С этой целью может быть использован тот же метод спектрофотометрии. Таким образом, любое спектрофотометриче-ское определение состоит в основном из двух этапов: а) проведения химических реакций для получения систем, удобных для фотометрирования ( фотометрическая реакция); б) измерения поглощения приготовленного раствора. [39]

При собственном поглощении энергия затрачивается на разрыв валентной связи в атоме и перевод электрона из валентной зоны полупроводника в зону проводимости. [40]

При собственном поглощении уменьшение длины волны излучения начиная с красной границы фотоэффекта Ягр ( см. рис. 7.2) приводит к резкому увеличению фотопроводимости, значение которой проходит через максимум, а затем падает. Причиной этого уменьшения фотопроводимости является изменение области генерации свободных носителей в полупроводнике. Из-за поверхностных явлений в полупроводнике увеличивается скорость рекомбинации неравновесных носителей и уменьшается время их жизни ( см. § 1.8), поэтому поверхностный слой не может внести заметного вклада в общую проводимость толстого полупроводника. [41]

Поправки на собственное поглощение углеводородного скелета уже входят в эти данные, причем отклонения от средних величин объясняются стерическим напряжением в исследованных системах. [42]

Поправки на собственное поглощение света материалов окон кюветы или растворителем можно учесть расчетным путем, если известны показатели Д 2) / С4 и ер. [43]

При изучении собственного поглощения следует учитывать особенности структуры энергетических зон полупроводника. [44]

В области собственного поглощения свет создает дополнительные носители в базовой области и снижает ее сопротивление. Вследствие этого происходит перераспределение напряжений, причем напряжение на р - n - переходе возрастает и увеличивается ин-жекционный ток. Это приводит к новому снижению сопротивления базы, к новому перераспределению напряжений и к новому росту инжекционного тока. Таким образом и обеспечивается высокая фоточувствительность S-диодов. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5