Проведение - диффузия
Cтраница 1
Проведение диффузии при температуре 1050 - 1150 С в течение 30 мин. [1]
Для проведения базовой диффузии процессы очистки поверхности, окисления и фотолитографии повторяются, после чего проводится двухстадийная диффузия бора: первая при температуре 950 - 1000 С, вторая при температуре 1150 - 1200 С. [2]
При проведении диффузии пластина помещается в печь и подвергается действию паров химического соединения, содержащего нужные примесные атомы. В результате реакции, происходящей на поверхности кремния, образуются атомы примеси в чистом виде. [3]
Печи для проведения диффузии фосфора и бора в кремний показаны схематически на фиг. Основной частью каждой печк является длинная трубка из плавленого кварца внутренним диаметром около 30 мм, которая помещена внутри высокотемпературной силитовой печи. [4]
В процессе проведения диффузии по этому методу пластины и источник диффузии помещаются в открытую с одной стороны трубу, которая находится в печи, обеспечивающей регулирование и поддержание температуры в двух зонах: зоне диффузии и зоне испарения диффузанта. Использование в качестве газа-носителя таких компонентов, как кислород и водяной пар, способствует образованию на поверхности сравнительно тонкого оксидного слоя, предохраняющего поверхность от эрозии. [5]
В процессе проведения диффузии по этому методу пластины и источник диффузии помещаются в открытую с одной стороны трубу, которая находится в печи, обеспечивающей регулирование и поддержание температуры в. Использование в качестве газа-носителя таких компонентов, как кислород и водяной пар, способствует образованию на поверхности сравнительно тонкого оксидного слоя, предохраняющего поверхность от эрозии. [6]
Источником алюминия при проведении диффузии в кремний является чистая алюминиевая пленка, нанесенная на поверхность пластины. Предварительно поверхность кремния окисляют для предохранения от образования эвтектики Al - Si. Процесс диффузии проводят в замкнутом объеме или в полугерметичном контейнере в протоке инертного газа или азота. [7]
Фирмой IBM разработан метод проведения диффузии бора, фосфора, галлия, сурьмы, мышьяка в кремний, использующий систему с запаянной трубой. [8]
Эта методика используется при проведении диффузии золота в кремний. Диффузией Аи в Si создают рекомбина-циотмые центры, понижающие время жизни неосновных носителей в полупроводнике. Это необходимо при создании интегральных микросхем, работающих в ключевом режиме с высоким быстродействием. Диффузия золота в кремний осуществляется с помощью междоузельного механизма со скоростями, на несколько порядков превышающими скорости диффузии элементов III и V групп. Например, при нанесении золота напылением на пластину кремния толщиной 150 мкм и выдерживания в атмосфере сухого азота в течение 48 мин при 970 C золото диффундирует сквозь всю пластину. [9]
 |
Локальная диффузия примеси. [10] |
Таким образом, при проведении многократной диффузии концентрация каждой новой вводимой примеси должна превышать концентрацию предыдущей. Величина Nap зависит от температуры. При некоторой температуре Nnf достигает максимального значения Nufmax, а затем снова уменьшается. [11]
 |
Диффузия радиоактивного фторида при комнатной температуре в присутствии силикона и в его отсутствие.| Насадка прибора для отделения фторида микродиффузией. [12] |
Помещают в бутыль прибора для проведения диффузии 1 мл анализируемого раствора, на верхнюю часть фильтровальной бумаги помещают 1 каплю 0 5 М раствора NaOH, содержащего 50 % по объему поли-пропиленгликоля. Немедленно добавляют пипеткой 2 мл раствора Ag2SO4 в 70 % - ной НС1О4, стараясь не дотрагиваться до внутренней стороны горла бутыли. [13]
Если изоляция должна осуществляться после проведения диффузии, предназначенной для создания приборов, и перед процессом металлизации, применяется метод изоляции с использованием вспомогательной пластины ( рис. 4.10), которая изготовляется путем нанесения слоя стекла толщиной 1 - 5 мкм на пластину кремния. На пластине кремния с приборами протравливается изоляционный рисунок, после чего каждый прибор оказывается находящимся на столбике из кремния высотой 25 мкм. Затем стекло, находящееся на вспомогательной пластине, сплавляется с приборами. Сплавление осуществляется путем нагрева этих двух пластин при температуре 800 С и сжатия их в течение нескольких минут. Обратную сторону пластины с приборами шлифуют до тех пор, пока столбики не превратятся в изолированные островки, прикрепленные к вспомогательной пластине. Этим сохраняется правильное расположение приб дрд, что необходимо для металлизации контактов и межсоединений. Затем вспомогательная кремниевая пластина стравливается. Металлизация производится как обьщно. [14]
 |
Смеси на основе плавиковой и азотной кислот для обработки германия. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5