Проведение - диффузия
Cтраница 4
Поэтому при проведении диффузии на большую глубину необходимо создание больших градиентов концентрации примеси у поверхности. [46]
Получение глубоких диффузионных слоев требует большого времени. Установлено, что время проведения диффузии пропорционально квадрату желательной глубины диффузионного слоя. [47]
Как видно из сравнения рис. 11.1 и 11.7, МДП-транзистор имеет более простую структуру, чем биполярный. Кроме того, большее количество процессов фотолитографии для поочередного проведения диффузии областей коллектора, базы и эмиттера требует увеличения площади каждой области для того, чтобы обеспечить необходимое их взаимное расположение с учетом погрешностей совмещения. [48]
 |
Зависимость толщины окисла кремния от времени окисления во влажном кислороде ( 7 и 2 и увлажненном аргоне ( 3 и 4 при 1200 С. температура воды в увлажнителе 85 С ( / иЗ и 28 С ( 2 и 4. [49] |
Меняя соотношение компонентов в смеси, можно получить энергию активации окисления в пределах от 1 33 эВ ( для сухого кислорода) до 0 8 эВ ( для водяного пара) и соответственно изменение скорости роста в широких пределах. При этом пленка толщиной 1 мкм является достаточной для проведения многократной диффузии. [50]
С помощью двух микрометрических винтов плоскости скола по очереди устанавливаются перпендикулярно к лучу света. В этом положении пластинка шлифуется и полируется с целью подготовки поверхности к проведению диффузии легирующей примеси или к созданию эпитаксиального слоя. [51]
Поскольку коэффициент диффузии цинка зависит от концентрации цинка, то глубина легирования в значительной степени зависит от толщины окисной пленки. Из рис. 10 - 16 следует, что глубина легирования зависит от толщины окиспого слоя, даже если время проведения диффузии всего 1 час. Метод дает возможность регулировать поверхностную концентрацию, получать результаты с высокой воспроизводимостью, обеспечивает гибкость процесса селективной диффузии из твердого тела. Возможности и гибкость новой системы ярче всего проявляются при сравнении с обычными методами диффузии. На рис. 10 - 17 показана обычная последовательность процесса: выращивание маски из двуокиси кремния, вытравливание окон с применением методов фотолитографии, проведение диффузии примесей с целью образования р - - - перехода. Процесс можно провести либо обычным способом, либо изменить последовательность операций таким образом, чтобы твердый источник наносился на пластину и затем удалялся с применением метода фотолитографии с тех поверхностей, в которые нежелательно проводить диффузию, прежде чем температура пластины не будет доведена до температуры диффузии. [52]
В результате после удаления фоторезиста на подложке остается бинарная рельефная структура. Описанный процесс почти полностью совпадает с травлением окон в слое двуокиси кремния на поверхности кремниевой пластины, которое повседневно применяют в микроэлектронике, так как оно необходимо для проведения диффузии в кремний и других операций. Однако в этом случае осуществляют сквозное травление тонкого слоя, находящегося на подложке из другого, нетравящегося материала, тогда как при изготовлении ДОЭ необходимо получить рельеф заданной глубины травлением однородной подложки, что технологически значительно сложнее. [53]
ОК) ( л и R HSi ( OR) 3 - A - ] высокой степени чистоты находят все большее применение в технике полупроводников. Так, триэтоксисилан является исходным материалом для получения кремния высокой чистоты [1, 2], тетраэтокси - и тетраметоксисилан используются при получении диэлектрических пленок двуокиси кремния для поверхностной пассивации и создания масок при проведении диффузии в процессе изготовления планарных кремниевых приборов. В то же время алкоксисиланы являются исходными для создания новых крем-нийорганическпх соединений. [54]
Слитки монокристаллов кремния нарезают на плоские заготовки алмазными пилами. Каждая заготовка имеет, как правило, значительно большую площадь, чем это необходимо для изготовления одного прибора. После проведения диффузии и нанесения металлических электродов заготовку разрезают на отдельные пластинки. [55]
 |
Схема изготовления маломощных. [56] |
Для изготовления германиевых высокочастотных транзисторов с граничной частотой передачи тока в несколько сотен мегагерц широко используется метод, представляющий собой определенную комбинацию диффузии и сплавления. Рассмотрим способ изготовления диффузионно-сплавных германиевых транзисторов более подробно. После проведения диффузии сурьмы образуется слой / г-германия толщиной 0 02 мм. Затем производится со-шлифовка или стравливание этого слоя таким образом, чтобы слой / г-германия остался только в риске. [57]
При малой толщине окисной пленки можно принять, что диффузия идет из конечного источника и примесный профиль описывается распределением Гаусса. На рис. 10 - 15 приведена зависимость глубины легирования от толщины окисной пленки при температуре диффузии 1000 С. При проведении диффузии в течение часа глубина легирования почти не зависит от толщины окисла. Значительное влияние толщины окисла на глубину легирования проявляется при проведении диффузии в течение 2, 4 и 8 час. Это, очевидно, можно объяснить истощением источника в процессе диффузии. [58]
При низкой упругости паров нанесенных таким образом поверхностных соединений диффузия каждой примеси фактически ограничивается площадью соответствующего участка. Во время проведения диффузии заготовки могут плотно прилегать друг к другу, так как взаимодействие между диффундирующими веществами на поверхности, по-видимому, не происходит. При помощи указанных способов нанесения поверхностных пленок были изготовлены выпрямители с превосходными характеристиками. [59]
Электронно-дырочный переход может быть получен также путем диффузии акцепторной примеси в донорный полупроводник, или донорной примеси в акцепторный полупроводник. Глубина проникновения примеси и залегания р-п перехода определяется температурой и временем проведения диффузии. Переходом служит граница, отделяющая области с различным типом проводимости. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5