Проведение - диффузия
Cтраница 2
Если образец, подвергаемый травлению, предназначен для проведения диффузии, не следует применять травители, содержащие ионы металлов или вызывающие окисление поверхности. [16]
Литография, Окна на поверхности пластины, используемые для проведения диффузии, наносятс. При этом поверх SiOj на пластину наносят фоторезист, представляющий собой тонкую пленку светочувствительного органического материала. Затем накладывается фотошаблон в виде стеклянной контактной маски, на которой имеется рисунок, состоящий из прозрачных и непрозрачных областей. Через маску фоторезист подвергается облучению ультрафиолетовыми лучами, в результате чего при действии проявителя на облученных участках фоторезист не проявляется. Таким образом на поверхности пластины остается рисунок определенной конфигурации и соответствующих размеров. При травлении пластины в плавиковой кислоте для удаления слоя SiO2 фоторезист не растворяется, поэтому окна вскрываются только на участках, не покрытых экспонированным фоторезистором. Через эти окна и проводится диффузия. [17]
На рис. 10 - 13 показана зависимость поверхностной концентрации фосфора от температуры проведения диффузии при различных разбавлениях источника. На рис. 10 - 14 показано, что газ окружающей среды вызывает изменение получаемой поверхностной концентрации, как и в случае с бором. [18]
 |
Микросхема МДТЛ на транзисторных структурах с разомкнутым эмиттером. [19] |
В частности, при включении в диодную сборку интегральных структур, формируемых без проведения эмиттерной диффузии, во входной цепи образуются p - n - p - транзисторы, выполняющие логическую функцию И. Эти транзисторы оказываются включенными по схеме эмиттерного повторителя ( рис. 7.7), и так как они способны усиливать входной ток, то использование таких структур способствует улучшению параметров микросхемы ДТЛ. [20]
Зависимость концентрации примеси N от глубины внедрения х в кристаллическую решетку полупроводника определяется условиями проведения диффузии. [21]
Затем фоторезист удаляется горячей серной кислотой или органическими растворителями, после чего пластину можно считать подготовленной для проведения диффузии. [22]
Установки для осаждения тугоплавких материалов, наращивания эпитаксиальных и поликристаллических пленок и другие, очень похожи на печи для проведения диффузии. [23]
 |
Основные этапы фотолитографии по кремнию.| Этапы изготовления фотошаблона под окна для омических контактов ( 4 - 53, в. Масштабы не выдержаны. [24] |
Заключительным этапом фотолитографии является удаление задублен-ного елся фоторезиста, после чего пластина с оксидной маской готова к использованию для проведения диффузии. [25]
 |
Вероятная структура олигомерных окислов элементовIV группы, а - мономер. б - димер. в - гример. г - теграмер ( РЬ4О4. [26] |
Интенсивность полос при 805 и 766 см 1 синхронно изменяется при варьировании условий, в частности она снижается при проведении диффузии. Слабые полосы при 973, 631 и 312 см 1 приписаны тримеру Si303 на основании результатов изотопного ( М0) замещения; кроме того, интенсивность этих полос возрастает при диффузии в матрице. [27]
 |
Погрешности, вносимые при изготовлении диффузионных резисторов. [28] |
Как следует из табл. 2.3, обеспечение необходимых допусков на значения сопротивлений резисторов сводится к точному контролю процессов изготовления фотошаблонов, проведения диффузии и фотолитографии. Нетрудно заключить, что сравнительно легко получить пределы допусков на отношения номиналов сопротивлений. [29]
Страницы: 1 2 3 4 5