Проведение - диффузия
Cтраница 3
Меза-транзисторы характеризуются выступом базовой и эмиттерной областей над полупроводниковым основанием ( коллектором), который образуется при стравливании части пластины кремния после проведения диффузии. [31]
 |
Коэффициент диффузии примесей в кремнии при различных температурах. [32] |
Последнее соотношение называется уравнением диффузии, н в ряде случаев оно может быть использовано для расчета распределения концентрации примеси, полученного в результате проведения диффузии в полупровэдник. [33]
 |
Конструкция транзистора с кольцевым коллекторным электродом. [34] |
В кремниевых сплавных транзисторах использовать диффузию для создания сильнолегированных слоев в базе со стороны эмиттера нельзя, так как при термообпа-ботке, необходимой для проведения диффузии, слишком сильно упадет время жизни неосновных носителей в кремнии. Однако в мощных кремниевых сплаиных п-р - п транзисторах входное сопротивление можно сделать достаточно малым, так что оно не скажет очень значительного влияния на сопротивление насыщения. [35]
В большинстве случаев метод химического осаждения из паровой фазы в отличие от других методов осаждения позволяет получать более высококачественные диэлектрические пленки, которые применяются как оптические покрытия, покрытия для пассивации поверхности, изоляционные покрытия в многослойных структурах, как маски при проведении диффузии и фототравления, а также как покрытия, предотвращающие коррозию. [36]
В диффузионной конструкции ( рис. 2.5 е) р-область в кристалле - типа образуется диффузией акцепторных примесей и, с целью уменьшения времени жизни, золота. После проведения диффузии в р-слой вплавляется контакт. Затем часть диффузионного р-слоя химически стравливается и остается участок р - - перехода под контактом, возвышающийся над остальной структурой в виде стола. Геометрические размеры р - - перехода могут быть меньше размеров контакта. Такая конструкция называется мезаструктурой. Преимуществом диффузионной технологии является также возможность более точно контролировать технологический процесс изготовления приборов. [37]
 |
Установка для эпитаксиального наращивания. [38] |
Формирование р-и-переходов в интегральной технологии ведется с помощью процесса диффузии. Для проведения диффузии донорной или акцепторной примесей пластина кремния проходит высокотемпературный нагрев в парах примеси. [39]
Метод диффузии примесей в составном ( полугерметическом) контейнере ( бокс-метод) является промежуточным между рассмотренными методами. Для проведения диффузии кварцевую кассету с полупроводниковыми пластинами размещают вместе с диффузантом в кварцевой ампуле с пришлифованной крышкой ( составном контейнере), которую вводят в открытую кварцевую трубу, находящуюся в однозонной печи. Так же как и в методе открытой трубы, через кварцевую трубу продувают инертный газ и диффузия идет при атмосферном давлении. В данном методе предпочтительней выбрать источник примеси, который при температуре; диффузии находится в жидком состоянии. При диффузии в кремний для этой цели чаще применяют смесь порошка легирующей примеси с диоксидом кремния. При этом на поверхности кремниевых пластин образуются легированные оксидные пленки, из которых диффузант проникает в кремний. [40]
Диффузию, как правило, проводят в специальных кварцевых ампулах при 1000 - 1350 С. Способ проведения диффузии и диф-фузант ( примесь) выбирают в зависимости от свойств полупроводника и требований, предъявляемых к параметрам диффузионных структур. Процесс диффузии предъявляет высокие требования к оборудованию и частоте легирующих примесей и обеспечивает получение слоев с высокой точностью воспроизведения параметров и толщин. Свойства диффузионных слоев тщательно контролируют, обращая внимание на глубину залегания p - n - перехода, поверхностное сопротивление или поверхностную концентрацию примеси, распределение концентрации примеси по глубине диффузионного слоя и плотность дефектов диффузионного слоя. [41]
Разложение проводят в небольшом отростке сосуда. При проведении диффузии сосуд кладут набок, используя получающуюся таким образом большую поверхность. Очень важно, чтобы в процессе диффузии поверхность жидкости была по возможности большой, а толщина слоя минимальной. [43]
Очень важно, чтобы в этих условиях не происходило загрязнения пластины побочными примесями. Поэтому при проведении диффузии жесткие требования предъявляются к чистоте используемой арматуры, технологических газов, источников основного диффузанта. Точность поддержания температуры в зоне диффузии должна быть не хуже 0 5 К при высокой стабильности и воспроизводимости температурного профиля во времени и по длине реактора. [44]
Страницы: 1 2 3 4 5