Проведение - диффузия
Cтраница 5
Влияние такого взаимодействия на частоту колебания зависит от силы взаимодействия. В предельном случае слабого взаимодействия между удаленными частицами наблюдается лишь небольшой сдвиг частоты колебания; множество таких взаимодействий может давать мультиплет. Интенсивность пиков, обусловленных слабо взаимодействующими парами частиц, уменьшается при проведении контролируемой диффузии, которая способствует превращению таких пар в димерные молекулы. [61]
 |
Модель микросхемы ДТЛ с входными диодами, образующими паразитные р-п-р-траюисторы 262. [62] |
В ИМС, не легированных золотом, во всех диодных включениях ( за исключением диода с закороченным коллектором), как известно, из-за активного действия паразитных транзисторов токи утечки в подложку достигают заметного значения. Выясним влияние этих токов на работу входных диодов. На рис. 7.7 показана модель ИМС, в которой входными диодами являются диоды, полученные без проведения эмиттерной диффузии. Эти диоды образуют паразитные р-п-р-транзисторы, у которых эмиттером служи. [63]
Действительно, если рассмотреть в качестве примера транзисторную структуру, показанную на рис. 6 - 3, то при толщине пластины около 200 мк толщина базовой области должна составлять 15 - 20 мк. Не уточняя относительной сложности процессов механической обработки и диффузии, можно грубо считать, что это соответствует 0 3 % для механической обработки и 0 6 % для диффузионных процессов. Следовательно, толщина пластины должна при шлифовке быть выдержана с точностью 0 6 мк, а точность проведения диффузии должна составить 1 2 мк. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5