Cтраница 1
Процесс рекомбинации заключается в нейтрализации ионов разных знаков или положительных ионов и электронов, которые взаимно притягиваются и, объединяясь при столкновении, образуют нейтральные молекулы. [1]
![]() |
Распределение энергии в спектре водородной лампы.| Высоковольтная водородная трубка. [2] |
Процесс рекомбинации катализируется многими металлами, в частности, никелем. В некоторых водородных трубках внутренняя поверхность специально покрывается тонким слоем никеля. Иногда роль катализатора играют развитые поверхности электродов. [3]
Процесс рекомбинации обычно весьма медлен по сравнению с остальными процессами установления равновесия в плазме. [4]
Процесс рекомбинации такого типа был назван парасексуальным процессом ( Дж. Он слагается из нескольких этапов: слияния ядер готеро-кариона и образования диплоидного гетерозиготного ядра; размножения таких гетерозиготных ядер в гетерокариотическом мицелии вместе с гаплоидными; митотической рекомбинации ( при митозе) во время размножения диплоидных ядер; вегетативной гаплоидизации диплоидных ядер в результате утраты ими хромосом. Парасексуальный процесс известен сейчас у многих несовершенных грибов, однако его наблюдают у них только в условиях лаборатории; какова же его роль в естественных условиях обитания, пока не установлено. [5]
![]() |
Схемы рекомбинации положительного иона с электроном ( а и отрицательным ионом ( б. [6] |
Процесс рекомбинации обратен процессу ионизации; если при ионизации возникают заряженные частицы, то при рекомбинации заряды частиц взаимно компенсируются. [7]
Процесс рекомбинации состоит в том, что при сближении двух ионов разных знаков или положительного иона и электрона они притягиваются и, сталкиваясь, нейтрализуются, причем выделяется большая или меньшая энергия. [8]
Процесс рекомбинации для этого же объема характеризуется уменьшением числа носителей, которое определяется выражением Д2 rkxkt, где г - скорость рекомбинации. [9]
Процесс рекомбинации всегда совершается при соблюдении законов сохранения энергии и импульса. [10]
Процессы рекомбинации в приповерхностных областях, где происходит резкое нарушение кристаллической структуры и повышение концентрации рекомбинационных центров, характеризуются скоростью s поверхностной рекомбинации. [11]
![]() |
Зависимость степени ионизации некоторых элементов от температуры. о. - при больших степенях ионизации. б - при начальных степенях ионизации. [12] |
Процесс рекомбинации всегда связан с потерей частицами части энергии. [13]
Процесс рекомбинации также облегчается молекулами растворителя, окружающими рекомбинирующие частицы и образующими как бы клетку, играющей роль третьей частицы, которой передается избыточная энергия. [14]
![]() |
Рекомбинация радикалов при нагревании. [15] |