Процесс - рекомбинация
Cтраница 4
 |
Схема перехода электронов из валентной зоны ( Wv в зону проводимости ( И7С и обратно через ловушки. [46] |
Рассмотрим процессы рекомбинации и генерации, протекающие в области р - n - перехода ( в области объемного заряда) при отсутствии напряжения на контакте, а также при приложении напряжения в прямом и запирающем направлении. Контактная разность потенциалов р - / г-перехода создает электрическое поле, которое уносят носители заряда, генерированные с помощью центров рекомбинации. В результате через р - / г-переход протекает ток, называемый током генерации. При отсутствии на р - - переходе внешнего напряжения ток генерации уравновешивается током рекомбинации, который обусловлен носителями заряда, попадающими в область объемного заряда и рекомбинирующими в этой области через центры рекомбинации. При наличии напряжения на переходе такое равновесие нарушается. [47]
Такой процесс рекомбинации широко исследован в GaP, так что наше рассмотрение будет ограничено этим материалом, хотя подобные процессы могут быть существенны и в других соединениях. [48]
Если Процессы рекомбинации в контактном слое описывать скоростью рекомбинации, то модель соответствует Полупроводниковому диоду с невьгпрямляющим контактом типа металл-полупроводник. [49]
Анализируются процессы рекомбинации и захвата носителей на поверхности полупроводника и различные фотоэлектрические и оптические явления в его приповерхностных слоях. Рассматривается также влияние поверхности на работу классических полупроводниковых приборов с р - n - переходом. Излагаются физические основы приборов, построенных на непосредственном использовании неравновесных приповерхностных процессов: МДП-транзисторов и фотоварикапов, приборов с зарядовой связью. Рассмотрены также перспективы дальнейшего использования некоторых неравновесных явлений на поверхности для создания полупроводниковых приборов. [50]
Поскольку процессы рекомбинации приводят к уменьшению концентрации ионов, то в тех случаях, когда их образование обусловливает реакцию, будет иметь место обратная зависимость предэкспоненциального множителя от коэффициента рекомбинации. [51]
 |
Я / / - характеристи - чаях достигают 1 ГГц ка светодиода ( / и лазер - rg 4. [52] |
Поскольку процессы рекомбинации происходят самопроизвольно, излучение светодиода является некогерентным. [53]
Если процесс рекомбинации затруднен в силу пространственных препятствий в радикале, то радикал может диспропорционировать на две нерадикальные частицы. Например, яреи-бутильный радикал С ( СН3) 3 будет диспропорционировать на изобутан и изобутен. [54]
 |
Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбинацион-ных ловушек с зонами энергии. [55] |
Происходит процесс рекомбинации свободной пары электрон - дырка. [56]
Существование процесса рекомбинации запасаемых в базе избыточных носителей заряда приводит к уменьшению коэффициента усиления при работе с длительными импульсами прямого тока. [57]
Скорость процесса рекомбинации пропорциональна произведению концентрации активных центров на общее давление в системе. Рекомбинация многоатомных радикалов обычно представляется бимолекулярным процессом. [58]
Скорости процессов рекомбинации и разряда для железа сравнимы между собой. В присутствии сероводорода механизм выделения водорода не меняется, происходит только увеличение скорости разряда благодаря влиянию ионов сульфония, что приводит к облегчению катодного процесса. [59]
В процессе рекомбинации могут иметь место две физические модели энергообмена: передача энергии от исходных веществ третьему телу и обмен энергией между исходными веществами и третьим телом. Второй механизм важен тогда, когда сродство третьего тела к реагентам высоко или третья частица уже является энергетически богатой. Однако практически это случается довольно редко и, как правило, рассматривается только первая модель. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5