Cтраница 5
В процессе рекомбинации участвуют все рекомбина-ционные уровни, однако ведущая роль принадлежит тому из них, который наиболее близко располагается от уровня Ферми. Поэтому в дальнейшем будем рассматривать простейшую модель рекомбинации через одновалентный рекомбинационный центр, создающий в запрещенной зоне один глубокий локальный уровень. [61]
![]() |
Газовая схема кулонометрического гигрометра. [62] |
В процессе рекомбинации, который имеет место особенно при высоких концентрациях водорода в исследуемом газе, платина может играть роль активного катализатора; родий обладает меньшей каталитической активностью. [63]
В процессе рекомбинации этих двух радикалов выделяется большая энергия - порядка 90 ккал. В образующейся Н202 энергия связи О - О равна - 50 ккал. [64]
В процессе рекомбинации поверхностные ловушки действуют подобно объемным и при возникновении неравновесных процессов в полупроводнике они участвуют в этих процессах наравне с объемными. Дополнительная генерация носителей заряда изменяет степень заполнения ловушек захвата и рекомбинации как в объеме полупроводника, так и па его поверхности. Особенностью поверхностной рекомбинации является то обстоятельство, что появление неравновесных носителей заряда на поверхности под действием какого-либо возбуждающего фактора приводит к изменению величины поверхностного заряда и захвату части этих носителей поверхностными состоямими. [65]