Cтраница 2
Процесс рекомбинации, естественно, продолжается и после прекращения облучения независимо от того, была достигнута под действием излучения предельная концентрация или нет. В зависимости от температуры и природы системы процесс рекомбинации может быть растянут во времени или может произойти сравнительно быстро. [16]
![]() |
Рекомбинация радикалов при нагревании облученных веществ 75 ]. [17] |
Процесс рекомбинации, естественно, продолжается и после прекращения облучения независимо от того, была ли получена под действием излучения предельная концентрация или концентрация была ниже предельной. [18]
Процесс рекомбинации заключается в том, что при сближении электрона и положительного иона или двух ионов различных знаков они притягиваются и, сталкиваясь, нейтрализуются. При этом происходит выделение энергии. [19]
Процесс рекомбинации значительно усиливается, если в области горения дуги находится твердый диэлектрик. При этом поверхность диэлектрика поляризуется и притягивает к себе электронът и положительные ионы, которые затем воссоединяются между собой на поверхности диэлектрика. [20]
Процесс рекомбинации сопровождается выделением энергии. Если выделяющаяся энергия излучается в виде фотонов, то рекомбинацию называют фотонной. Если энергия переходит в энергию решетки и выделяется в виде фононов, то рекомбинацию называют фононной. Выделившаяся при рекомбинаци энергия может быть передана свободному электрону: такую рекомбинацию называют ударной или рекомбинацией Оже. [21]
![]() |
Зонная диаграмма полупроводника с ловушками захвата и рекомбинации. [22] |
Процесс рекомбинации определяется четырьмя параметрами: концентрацией рекомбинационных ловушек, их энергетическим положением в запрещенной зоне и двумя эффективными сечениями захвата для электронов и дырок. [23]
Процесс рекомбинации обычно весьма медлен по сравнению с остальными процессами установления равновесия в плазме. Эта энергия может излучиться в виде фотона ( радиационная рекомбинация); в таком случае медленность процесса связана с малостью квантовоэлек-тродинамической вероятности излучения. Освобождающаяся энергия может быть также передана третьей частице - нейтральному атому; в этом случае медленность процесса связана с малой вероятностью тройных столкновений. Все это приводит к тому, что рекомбинацию часто имеет смысл изучать в условиях, когда распределение всех частиц можно считать максвел-ловским. [24]
Процесс рекомбинации или воссоединения аэроионов среди ио ноуничтожающих явлений имеет весьма существенное значение для степени концентрации аэроионов в воздухе. Воссоединение аэроионов зависит от ряда физических, геофизических и метеорологических факторов, и потому для различных местностей коэффициенты воссоединения не одинаковы. [25]
![]() |
Свободно-связанный переход. [26] |
Процесс рекомбинации может идти через образование долго-живущего комплекса. [27]
![]() |
Схема включения разрядной трубки и.| Кривые Пашена для некоторых газов. [28] |
Процессы рекомбинации на стенках вызывают интенсивное свечение положительного столба. [29]
![]() |
Распределение энергии в спектре ТбЛЬНО ВЫСОКОв Содержание МОЛвКуЛЯр. [30] |