Процесс - рекомбинация
Cтраница 3
Процесс рекомбинации катализируется многими металлами, в частности, никелем. В некоторых водородных трубках внутренняя поверхность специально покрывается тонким слоем никеля. Иногда роль катализатора играют развитые поверхности электродов. [31]
Процесс рекомбинации также облегчается молекулами растворителя, окружающими рекомбинирующие частицы и образующими как бы клетку, играющей роль третьей частицы, которой передается избыточная энергия. [32]
Процессы рекомбинации зависят от ряда факторов: концентрации свободных частиц, характера их движения, наличия и концентрации примесей и других дефектов кристаллической структуры, состояния поверхности тела и др. Принято различать межзонную рекомбинацию, рекомбинацию через локальные уровни примесей ( рекомбинацион-ные ловушки, поверхностную рекомбинацию и другие виды. Рас-смотрим основные виды генерации свободных носителей заряда и их рекомбинации. [33]
Процесс дисссниативной рекомбинации является наиболее эффективным в случае захвата электронов молекулярными ионами. [34]
Процесс рекомбинации частиц обусловлен тем, что частицы с энергией, недостаточной для преодоления потенциального барьера, проникая на некоторую глубину в запирающий слой, теряют свою скорость в поле перехода и выносятся этим полем обратно. [35]
 |
Зависимость скорости реакции. [36] |
Процессы рекомбинации ионов заметно влияют на основные закано мерности кинетики этой реакции. В частности, с рекомбинацией ионов связано несоответствие между, зависимостью скорости реакции от состава газовой смеси и величины общего давления газа. [37]
 |
Зависимость скорости реакции. [38] |
Процессы рекомбинации ионов заметно влияют на основные закономерности кинетики этой реакции. В частности, с рекомбинацией ионов связано несоответствие между зависимостью скорости реакции от - состава газовой смеси и величины общего давления газа. [39]
Процессы рекомбинации зависят от ряда факторов: концентрации свободных частиц, характера их движения, наличия и концентрации примесей и других дефектов кристаллической структуры, состояния поверхности тела и др. Принято различать межзонную рекомбинацию, рекомбинацию через локальные уровни примесей ( рекомбинацион-ные ловушки, поверхностную рекомбинацию и другие виды. Рас-смотрим основные виды генерации свободных носителей заряда и их рекомбинации. [40]
Процесс рекомбинации частиц обусловлен тем, что частицы с энергией, недостаточной для преодоления потенциального барьера, проникая на некоторую глубину в запирающий слой, теряют свою скорость в поле перехода и выносятся этим полем обратно. [41]
Процессы рекомбинации полимерных радикалов, находящихся друг от друга на значительных расстояниях ( порядка 30 - 40А), существенной роли в этих процессах не играют. Однако реакции рекомбинации и диспропорционирования пары свободных радикалов, возникающих при разрыве связи С-С в главной цепи, имеют большое значение, так как их соотношением в основном определяется соотношение между процессами деструкции и сшивания. [42]
 |
Генерация и рекомбинация носителей заряда в слое полупроводника. [43] |
Процесс рекомбинации избыточных носителей заряда описывается в рамках теории Шокли-Рида. Скорость объемной рекомбинации можно выразить приближенно через эффективное время жизни т неосновных носителей заряда, которое не зависит от их концентрации и координаты рассматриваемой точки объема полупроводника. [44]
Если процесс рекомбинации очень быстрый, то радикалы за время жизин могут не успеть прореагировать со стенками клетки, где находятся молекулы пара-динитробеизола, и, следовательно, присоединение не будет подавляться добавками этого окислителя. Таким образом, отличить полярный механизм от радикального чрезвычайно трудно, и в настоящее время большинство исследователей придерживаются двойственной интерпретации, полагая, что механизм присоединения зависит от структуры как реактива Гриньяра, так и карбонильного соединения. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5