Р-п-переход

Cтраница 1

Диффузионный р-п-переход ( а и распределение примесей в полупроводнике после диффузии в него доноров ( 6. [1]

Диффузионные р-п-переходы, в свою очередь, могут быть нескольких разновидностей. Так, диффузионный p - n - переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника, называют планарным р-п-переходом. В качестве защитного слоя на кремнии обычно используют диоксид того же самого кремния. [2]

Запертый коллекторный р-п-переход отражен большим сопротивлением гк. [3]

Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [4]

Через р-п-переход потечет ток, характеристика которого приведена на том же рисунке справа. [5]

Травление р-п-переходов является одной из важных и совершенно необходимых технологических операций при изготовлении полупроводниковых приборов. В результате травления происходит очистка поверхности перехода и улучшение его выпрямляющих свойств. [6]

Эквивалентная схема фотоэлемента.| Световые характеристики фотоэлемента. [7]

Сопротивление р-п-перехода - величина, зависящая от освещенности. При этих условиях постоянная А является интегральной чувствительностью К фотоэлемента. [8]

Распределение зарядов в / мг-слое. [9]

Вблизи р-п-перехода происходит рекомбинация, - электроны занимают дырки, и количество свободных носителей зарядов в пограничном слое резко уменьшается. Это приводит к увеличению сопротивления пограничных слоев п - и р-гермавия. Область повышенного сопротивления называют запирающим слоем. Оставшиеся нескомпенсированные неподвижные заряды нарушают электрическое равновесие в каждом из кристаллов. [10]

Образование р - / г-пе-рехода при введении донорной примеси в полупроводник р-типа. [11]

Образование р-п-перехода достигается обычно всплавлением или диффузией в полупроводник п - или р-типа примеси другого вида с тем, чтобы в одной области полупроводника иметь избыток носителей одного знака, а в другой области - избыток носителей заряда другого знака. [12]

В р-п-переходе, где концентрация дырок рр в р-области намного превосходит концентрацию электронов пп в - области, диодный ток является в основном дырочным. Если далее предположить, что глубина р - и л-областей намного превышает диффузионную длину носителей заряда ( фиг. [13]

В р-п-переходах приграничные слои полупроводников обеднены осн. У, приложенное к переходу, изменяет высоту барьера. [14]

В реальном р-п-переходе при обратном напряжении электроны и дырки, образующиеся в обедненном слое вследствие термогенерации, движутся в электрическом поле в противоположных направлениях: электроны - в сторону / г-области, а дырки - в сторону р-области. Дрейфовое движение этих носителей образует ток генерации. Число носителей, генерируемых в единице объема за единицу времени ( скорость генерации), равно 7т, где т - время жизни носителей в обедненном слое. Умножая эту величину на объем обедненного слоя SL0u ( U), получаем полное число носителей, генерируемых в p - n - переходе за единицу времени. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5