Р-п-переход

Cтраница 4

Различают две емкости р-п-перехода - зарядную, или барьерную, и диффузионную. [46]

Электрические параметры каждого р-п-перехода можно измерять прямо на пластине, так как еще до разрезки кристалла изолированы друг от друга зонами травления. [47]

Построение энергетической диаграммы р-п-перехода - в равновесно м состоянии, как известно, качественно обосновывается следующими соображениями. AW We - Wv ( We - энергия электрона, соответствующая дну зоны проводимости, и Wv - то же для шотолка валентной зоны) обусловливается периодом кристаллической решетки. [48]

Увеличение приложенного к р-п-переходу напряжения на значении обратного тока почти не сказывается, так как независимо от величины напряжения количество неосновных носителей заряда будет едким и тем же. [49]

Как диоды с р-п-переходом, так и диоды с барьером Шоттки ( ДШ) широко используются в качестве выпрямителей в силовой электронике. Однако их применение отчасти ограничено в связи с присущими им недостатками: высокие потери мощности и малая скорость переключения в диодах с р-п-переходом, низкое напряжение пробоя и большой ток утечки в ДШ. Этим объясняется необходимость улучшения их характеристик. [50]

Электронно-дырочным переходом ( р-п-переходом) называют область вблизи контакта полупроводников с электронной и дырочной электропроводностью. Такой контакт можно получить, если одна часть кристалла полупроводника содержит донорные, а другая - акцепторные примеси. Когда градиент концентрации примесей вблизи контакта достаточно велик, - распределение основных носителей заряда не будет подобно распределению соответствующих примесей ( рис. В. Действительно, наличие градиента концентрации носителей заряда должно вызывать их диффузию. При этом электроны будут стремиться проникать в дырочную область, а дырки - в электронную область. [51]

Рассмотренный переход называется симметричным р-п-переходом. В нем концентрация дырок с одной стороны примерно равна концентрации электронов с другой. Однако в реально существующих р-п-переходах концентрация носителей зарядов одного типа обычно превышает концентрацию носителей заряда другого типа. [52]

Полезои транзистор с управляющим р-п-переходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала р-я-перехэ-дэм, смещенным в обратном направлении. [53]

Изменение заряда в р-п-переходе может быть вызвано также изменением концентрации инжектированных неравновесных носителей заряда в базе при прямом смещении р-и-пе-рехода. Отношение приращения инжектированного заряда к приращению прямого напряжения определяет диффузионную емкость p - n - перехода: Сд ф SQU. Диффузионная емкость превышает барьерную при прямом смещении p - n - перехода, однако она незначительна при обратном смещении. [54]

Дробовые шумы в р-п-переходах создаются флуктуациями эмиссии дырок и аналогичны дробовым шумам в электронных лампах. Ре комбинационные шумы создаются в результате беспорядочной рекомбинации дырок с электронами, происходящей в основном на поверхности полупроводника. Концентрация дырок в области базы не остается постоянной также из-за наличия дефектов кристаллической решетки. Тепловые шумы сопротивления базы являются обычными тепловыми шумами любого активного сопротивления. [55]

Конструкция точечного диода. [56]

Электрическое поле в р-п-переходе называют потенциальным барьером, а р-я-гереход - запирающим слоем. Следовательно р-и-переход обладает вентильными свойствами. [57]

Вследствие существования в р-п-переходе запорного слоя он не пропускает ток в обратном направлении. Ширина запорного слоя зависит от полярности подаваемого напряжения. [58]

Характеристика германиевого диода.| Последовательное соединение двух н. э. [59]

Можно показать, что р-п-переход обладает выпрямительным свойством. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5