Р-п-переход

Cтраница 2

Соотношения энергий между валентной зоной, зоной проводимости и уровнем Ферми. а - в изолированных полупроводниках л - и р-типов. б - в полупроводнике, содержащем сформированный р-л-переход. [16]

При освещении р-п-переход действует как солнечная батарея, перебрасывая электроны из валентной зоны в зону проводимости. [17]

Если на р-п-переход подан высокочастотный сигнал, период которого Г трел, то заряд изменяется в фазе с напряжением, а емкость не зависит от частоты сигнала. [18]

Поэтому через р-п-переход протекает ток электронов из п - в р-область. [19]

На каждый р-п-переход транзистора может быть подано как прямое, так и обратное напряжение. Соответственно различают четыре режима работы транзистора: режим отсечки - на оба перехода подано обратное напряжение; режим насыщения - на оба перехода подано прямое напряжение; активный - на эмиттерный переход подано прямое напряжение, а на коллекторный переход - обратное; инверсный - на эмиттерный переход подано обратное напряжение, а на коллекторный переход - прямое. [20]

Выпрямляющее действие р-п-переходов используется для устройства кристаллических диодов, предназначенных для детектирования высокочастотных электромагнитных колебаний. С их помощью детектируются волны сантиметрового диапазона, используемые в радиолокации. Кристаллические диоды выгодно отличаются от ламповых механической прочностью, дешевизной, малыми размерами, большим сроком службы и другими ценными качествами. [21]

Вольт-амперная характеристика р-п-перехода, определяющая связь между приложенным напряжением и током, нелинейна. Это объясняется в первую очередь различием концентраций носителей в р - и n - областях, а также распределением их зарядов по энергиям. [22]

В области р-п-перехода, как и в нейтральных областях полупроводника, происходит рекомбинация носителей. При этом электроны уходят из - области, а дырки - из р-области. Вследствие такого движения носителей возникает дополнительный прямой ток, называемый током рекомбинации. Полный прямой ток р-л-перехода складывается из тока инжекции / инж, опредляемого из (2.12), и тока рекомбинации / рек. [23]

Катушка индуктивности в микроисполнении.| Микроминиатюрный конденсатор на полупроводнике. [24]

Зависимость емкости р-п-перехода от приложенного напряжения определяется законом распределения примесей в пограничной зоне перехода, что позволяет изготовить конденсатор, емкость которого зависит от приложенного напряжения. [25]

Теория восстановления р-п-перехода при линейно уменьшающемся токе была разработана Шокли и Мелечеем ( W. [26]

Туннельный пробой р-п-перехода. [27]

Тепловой пробой р-п-перехода возни-кает в результате нарушения равновесия между выделяемым в p - n - переходе и отводимым от него теплом. [28]

Рассмотрим характеристики изолированного р-п-перехода ( диода), а полученные результаты применим при анализе характеристик база-эммиттерного р-п-перехода транзистора. [29]

Каждый из р-п-переходов транзистора может быть смещен либо в прямом, либо в обратном направлении. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5