Р-п-переход

Cтраница 5

Конструкция точечного германиевого диода типа ДЮЗ.| Конструкция плоскостного выпрямительного диода. / - вывод. 2 - стеклянная втулка. 3 - полупроводниковый кристалл. 4 - гайка, 5 - шайба. б - основание. 7 - металлический корпус. [61]

Метод сплавления позволяет получить р-п-переход с резким изменением концентрации примеси. При методе диффузии концентрация примесных атомов в области p - n - перехода изменяется плавно. [62]

В пограничном j слое р-п-переход образован потенциальный барьер, через который могут перескочить лишь отдельные электроны и дырки, обладающие большой кинетической энергией. При подключении диода к источнику тока с полярностью минус к области р и плюс к области я ( рис. 3.11 6) потенциальный барьер еще больше увеличится, так - как дырки области р притянутся к минусу поданного напряжения, а электроны - к плюсу. Полупроводник в этом случае является изолятором. При перемене полярности подведенного напряжения к диоду ( рис. 3.11, о) потенциальный барьер резко снижается, дырки перемещаются из области р в область п, а электроны - в обратном, направлении. В этом случае полупроводник пропускает электрический ток. [63]

Страницы: 1 2 3 4 5