Р-п-переход
Cтраница 3
Пластины разделены р-п-переходом 3 толщиной 2 5 мкм; в этом слое и создается индуцированное излучение света. [31]
Электронно-дырочный переход ( р-п-переход) - это переходный слой между двумя областями полупроводника с разной электропроводностью, в котором существует диффузионное электрическое поле. [32]
Каким образом получают р-п-переход в закиси меди. [33]
 |
Вольт-амперная характеристика р-я-перехода. [34] |
Очевидно, что р-п-переходы из материалов с большей шириной запрещенной зоны больше изменяют / нас в зависимости от температуры. [35]
 |
Схема модулятора, использующего электрооптический эффект в р-п-переходе. [36] |
В полупроводниковом диоде р-п-переход при отсутствии электрического поля является оптически изотропной средой, а при наличии поля - анизотропной средой. Так как толщина переходного слоя незначительна, излучение необходимо сфокусировать в центр диода. Напряженность управляющего поля в переходном слое зависит от приложенного к диоду смещения. Диод включен так, что напряжение смещения и управляющее напряжение направлены встречно. Это позволяет осуществлять модуляцию излучения при малых значениях тока, проходящего через диод. [37]
 |
Расчетные формулы сопротивления базовой области транзистора. [38] |
Коллекторный и эмиттерный р-п-переходы транзистора обладают емкостными свойствами. Эквивалентная емкость р-п-пере-хода включает в себя барьерную и диффузионную составляющие и подключена параллельно сопротивлению р-п-перехода. Диффузионная емкость преобладает при прямом смещении, а барьерная - при обратном. [39]
Описанный способ получения р-п-перехода применяется главным образом при изготовлении плоскостных германиевых диодов. Кроме этого способа, разработаны и другие приемы создания р - n - переходов. Так нередко используется метод термической диффузии, при котором на поверхность полупроводниковой пластинки наносится тонкий слой соответствующего элемента. Атомы последнего, проникая в толщу полупроводника, должны обеспечить тот или иной механизм проводимости. Затем пластинка с нанесенным на одну из ее поверхностей слоем помещается в вакуумную печь, где в условиях высокого вакуума прогревается некоторое время, зависящее от температуры печи. При прогреве атомы нанесенного на пластинку элемента диффундируют в глубь полупроводника, обеспечивая нужный механизм проводимости. [40]
При прямом включении р-п-перехода прямой ток состоит из двух составляющих: электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р - / г-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсной населенности. Минимальный ток, при котором происходит преимущественно вынужденная рекомбинация, называют пороговым током. [41]
Уравнение электрической нейтральности р-п-перехода (2.13) и уравнение для полного падения напряжения на р-п-переходе (2.16) представляют собой систему двух уравнений с двумя неизвестными - пределами интегрирования. [42]
Концентрация электронов около р-п-перехода возрастает в соответствии с принципом электрической нейтральности, согласно которому в любой части базовой области сумма всех зарядов должна быть равна нулю. Очевидно, что число накопленных дырок в базе тем боль-ше, чем больше ток через диод и чем больше время жизни дырок. Кроме того, число накопленных дырок зависит от геометрии базы. При переключении диода с прямого напряжения на обратное в начальный момент наблюдается большой обратный ток, ограниченный в основном последовательным сопротивлением базы диода. [44]
При прямом включении р-п-перехода прямой ток состоит из двух составляющих - электронной и дырочной. Чем больший ток проходит через р-тг-переход, тем с большим запасом выполняется условие инверсной населенности. Минимальный ток, при котором происходит преимущественно вынужденная рекомбинация, называют пороговым током. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5