Разброс - сопротивление
Cтраница 4
Сопротивление базы гб имеет примерно идентичную зависимость от / к и производственного разброса параметров транзистора, однако в рассматриваемом случае можно пренебречь погрешностью, обусловленной колебаниями температуры окружающей среды. Колебания коллекторного напряжения UK на величину разброса сопротивления базы сказываются незначительно. [46]
При изготовлении электроизмерительных приборов у многих из его элементов обнаруживается значительный разброс параметров. Так, из-за несоответствия фактического диаметра провода номинальному разброс сопротивлений подвижной рамки или неподвижной катушки доходит до ( 10 - 20) % от номинального значения, хотя число витков ее сохраняется постоянным. В электромагнитных приборах не удается сразу с необходимой точностью получить нужную величину сечения подвижной части и рабочего зазора между подвижной и неподвижной частями измерительного механизма. Поэтому в процессе сборки всегда возникает необходимость привести электрические и механические параметры прибора в соответствие с техническими требованиями. Эта операция называется регулировкой прибора. Способы регулировки зависят прежде всего от системы прибора, а также от многих его свойств. [47]
Воспроизводимость параметров пленочных элементов в значительной степени зависит от свойств подложки. Размер зерна керамики, колебания толщин подложек влияют на разброс сопротивлений пленочных резисторов. Шероховатость поверхности, число и состав присадок керамической шихты определяют адгезию пленок к подложке. Коэффициенты термического линейного расширения материалов подложки и стекол, входящих в состав паст, должны иметь близкие значения во избежание разрушения пленочных элементов и снижения дрейфа их параметров. [48]
 |
Область изменения переходных сопротивлений. [49] |
Как видно на рис. 5, при снятии проковочного давления разброс сопротивлений не уменьшается. Верхний предел давления, что желательно с точки зрения стабилизации переходных сопротивлений, ограничивается деформацией проводника в процессе сварки. [50]
Расчет и экспериментальные исследования показывают [71], что энергия пробоя лавинных диодов зависит от длительности импульса, температуры окружающей среды, напряжения пробоя первой микроплазмы, формы импульсов и других факторов. Кроме того, на устойчивость к кратковременным перенапряжениям существенное влияние оказывают, величина удельного сопротивления и разброс сопротивления исходного кремния, а также изменение площади прибора. [51]
Уменьшение ширины а ограничено тем, что сопровождается ростом погрешности Да из-за неточностей фотошаблонов и ростом разброса сопротивлений из-за неоднородности материала. Поэтому с ростом номинала изготавливаемого резистора увеличиваются его длина, а также площадь, занимаемая резистором, и его стоимость. Это делает нежелательным применение высокоомных транзисторов. [52]
Предоконечный каскад усилителя должен обеспечивать выходную мощность не менее 11 мет. Учитывая разброс параметров выходного транзистора, а также изменение величины постоянного тока в предвыходном каскаде ( из-за влияния разброса сопротивлений и температуры), следует обеспечить большую колебательную мощность. [53]
Изложенный метод расчета триггера с нелинейной обратной связью не учитывает разброса сопротивлений схемы. Поэтому для гарантирования надежной работы триггера расчетные значения параметров р и / К0 целесообразно брать с поправкой, компенсирующей влияние разброса сопротивлений. [54]
Как видно из сопоставления, пренебрежение малыми разностями потенциалов между электродами практически не сказывается на результатах расчета режима открытого триода, но сильно искажает расчет запертого. Ошибка в определении RCB эквивалентна 10-процентному, а в определении Кк даже 20-процентному разбросу б, что делает фиктивным учет действительного разброса сопротивлений. Уменьшение / кор на одну треть равносильно понижению верхнего предела допустимых рабочих температур на 6 С. [55]
Для сопротивления RKl нужно взять ближайший больший номинал, а для остальных сопротивлений ближайший меньший номинал, если расчетные значения не соответствуют ГОСТу. Необходимо иметь в виду, что выведенные расчетные формулы гарантируют работоспособность триггера три принятых допусках сопротивлений, но в связи с разбросом сопротивлений в пределах допусков величины C / i и ( / Вых могут несколько отличаться от исходных значений. [56]
Полупроводниковые ИС имеют активную подложку ( кристалл кремния), в которой с помощью единых технологических процессов создаются и активные и пассивные элементы схемы. Пассивные элементы этих ИС уступают по качеству ( разбросу сопротивлений, стабильности) пленочным пассивным элементам. Однако полупроводниковые ИС позволяют в полном объеме использовать преимущества ИС и групповые методы их производства. Полупроводниковые ИС делятся на: монолитные; многокристальные; на подложке, имеющей кристаллографическое сходство с кремнием; балочные. [57]
Недостатком делителя рис. 5 - 19 является необходимость применения высокоомных резисторов и большое число их номиналов. Оптимальным по количеству номиналов является вариант этой схемы для чисто двоичного кода, позволяющий применять лишь два номинала резисторов и минимальное число переключателей. Существенную погрешность в работу ПКН с такими делителями вносит разброс сопротивлений ветвей делителя, так как высокоомпые резисторы трудно выполнить с достаточной точностью. [58]
Страницы: 1 2 3 4