Предельное разрешение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Нет такой чистой и светлой мысли, которую бы русский человек не смог бы выразить в грязной матерной форме. Законы Мерфи (еще...)

Предельное разрешение

Cтраница 1


Предельное разрешение ( минимальным измеряемый радиус корреляции) поляризационного интерферометра обусловлено дифракцией и может достигать порядка 10 мкм. Заметим, что в схеме Юнга разрешающая способность ограничена размерами отверстий.  [1]

Предельное разрешение двух спектральных линий одинаковой интенсивности достигается при таком их наложении, когда главный максимум дифракционного изображения А. Очевидно, что две полосы поглощения Я, и Х ДА.  [2]

Предельное разрешение микроскопа после исключения хроматических ошибок и астигматизма определяется сферической аберрацией и дифракционными явлениями. Повышение ускоряющего напряжения до 300 кВ вызывает резкое убывание потерь энергии электронов в объекте. Существенно повысить разрешение микроскопа можно применяя криогенные линзы, позволяющие уменьшить сферическую аберрацию по сравнению с аберрацией обычных объективов, либо корректируя сферическую аберрацию при помощи дополнительных октупольных элементов линз.  [3]

Предельное разрешение счетчика по скорости обусловлено неск. Др / р10 - могут разделять л, Kf и протоны до импульсов 20 - 25 ГэВ / с. Дальнейшее улучшение разрешающей способности требует корректировки onf ической системы на дисперсию света в газах.  [4]

Предельное разрешение магнитной среды определяется зернистостью пленки MnBi. Оптимальная толщина пленки MnBi 10 - 5 см. Экспериментально удалось записать точки диаметром 1 мкм на расстоянии 0 6 мкм.  [5]

Различают предельное разрешение по линиям и по точкам. Разрешение по линиям; определяют путем разрешения на изображении кристаллических плоскостей вещества-с известной структурой. Разрешение по точкам определяют по максимальному полезному увеличению микроскопа, при котором удается различить на изображении ( фотопластинке) две характерные точки, отстоящие одна от другой на 0 1 - 0 2 мм. Условия формирования изображения рассмотренных двух типов таковы, что разрешение по линиям всегда немного выше, чем по точкам.  [6]

Дифракция определяет предельное разрешение идеальной линзы. Критерий разрешения Релея исходит из того, что изображение предмета в виде периодической поглощающей решетки с периодом р будет обладать достаточным контрастом в том случае, если центры главных дифракционных линий от двух соседних полос предметной решетки будут сдвинуты не менее, чем на полуширину дифракционных линий.  [7]

С проблемой предельного разрешения тесно связана проблема контраста.  [8]

Чтобы достичь предельного разрешения больших рефлекторов, нужно вынести их за пределы земной атмосферы. Впервые это было осуществлено в принстонском эксперименте с телескопом Стратоскоп-2, установленным на баллоне.  [9]

10 Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм а слое позитивного хинондиазидного резиста толщиной 0 8 мкм ( / - расстояние от центра линии. [10]

Таким образом, предельное разрешение, которое может быть достигнуто в фотолитографии при оптимизации совокупной оптической системы, лежит в пределах 0 4 - 06 мкм [38]; достижение этих значений возможно при использовании коротковолновой области УФ излучечия v учета важнейших факторов, влияющих на качество результирующего изображения.  [11]

В идеальных условиях предельное разрешение, обеспечиваемое системами, формирующими изображение, зависит только от того, в какой мере мы способны изготавливать оптические элементы больших размеров, свободные от собственных аберраций и не очень дорогие. Однако такие идеальные условия редко, встречаются на практике. Часто среда, в которой распространяются волны, проходя от объекта до системы, формирующей изображение, сама является оптически несовершенной, и это приводит к тому, что даже в случае безаберрационных оптических систем реальное разрешение значительно ниже теоретического дифракционного предела.  [12]

13 Рассчитанные границы экспозиционного профиля для линий шириной 2 мкм в слое позитивного хннондиазидного резиста толщиной 0 6 мкм ( / - расстояние от центра линии. [13]

Таким образом, предельное разрешение, которое может быть достигнуто в фотолитографии при оптимизации совокупной оптической системы, лежит в пределах 0 4 - 0 6 мкм [38]; достижение этих значений возможно при использовании коротковолновой области УФ излуиечия v учета важнейших факторов, влияющих на качество результирующего изображения.  [14]

Использование сканирующего электронного микроскопа ограничено из-за его предельного разрешения, составляющего для обычных коммерческих приборов около 15 нм. Другими словами, сканирующий электронный микроскоп применим, только если размер частиц превышает 100 нм.  [15]



Страницы:      1    2    3    4