Распределение - дырка
Cтраница 1
Распределение дырок в n - базе в любой момент времени может быть найдено из решения нестационарного уравнения непрерывности. Это решение в общем случае довольно громоздко. [1]
Распределение дырок по энергиям - максвелловское. [2]
 |
ФРЭ в ПЛ в режиме слабого поля. [3] |
Распределение продиффундированных дырок описывается плавной частью функции. [4]
Найти распределение неравновесных дырок и вычислить их концентрацию на освещаемой поверхности полубесконечного образца ra - Ge, если поверхность образца освещается светом с коэффициентом поглощения if 14 см 1, плотность потока квантов У 6 1019 см - с 1, квантовый выход. [5]
Функция распределения дырок в полупроводнике имеет тот же вид, что и для электронов, однако постоянные коэффициенты в этих функциях принимают разные значения. В частности, появляется различие в постоянных а0, которые пропорциональны плотности электронов или дырок в отсутствие освещения. Постоянные Б также различны, поскольку средняя длина свободного пробега для электронов и дырок не одинакова. [6]
 |
Распределение концентрации неосновных носителей в бездрейфовом транзисторе р-п - р при работе в активной области и в области насыщения. [7] |
Таким образом, распределение дырок в базе неравномерно, и в базе имеет место диффузия дырок от эмиттера к коллектору. [8]
В стационарном состоянии распределение дырки по молекулярному иону зависит от структуры исходной молекулы. Если молекула состоит из одинаковых звеньев, то дырка распределена по молекулярному иону приблизительно равновероятно. Если же в молекуле имеются участки с меньшими потенциалами ионизации, откуда электрон удаляется легче, то эти места являются для дырки ловушками разной глубины. В результате дырка, хотя и с различной вероятностью, предпочтительно локализуется на ловушках. [9]
 |
Схематическая диаграмма полос. [10] |
Форма полосы определяется распределением дырок на невозмущенных и занятых внешних энергетических уровнях, а также вероятностью переходов и временем жизни соответствующих состояний. [11]
На рис. 4.31 показано распределение дырок в базе транзистора. Такое распределение будет иметь место, если переменная составляющая тока i, отсутствует. Если ток ia подается на вход транзистора, то кривая распределения дырок перемещается. [12]
Едр - поле, обусловленное распределением дырок под электродами; Dp UOB - коэффициент диффузии дырок вблизи поверхности. [13]
Электронно-дырочное рассеяние относительно слабо влияет на распределение дырок в базе, так как величины цп и цр не входят в явном виде в (1.125) и граничные условия. [14]
Рассмотрим уравнение (8.17), которое показывает распределение дырок в базе как функцию [ / э и f / K. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5