Распределение - дырка
Cтраница 4
Тепловое движение неосновных носителей в n - области является причиной отклонения от равновесного распределения дырок. Это приводит к появлению релаксационных дырочных токов через переход и внутри объема материала, вследствие чего имеется тенденция возвращения распределения дырок к невозмущенной форме. Эти релаксационные токи мы сейчас и рассмотрим. [46]
 |
Изменение распределения приобретет вид, пред. [47] |
Распределение дырок в базе для этого случая показано на рис. 32 пунктирной линией. [48]
Вертикальные переходы, запрещенные при k 0, имеют место между тремя валентными зонами в Ge и других полупроводниках, обладающих структурой цинковой обманки. Наблюдаемые кривые поглощения находятся в хорошем согласии с теорией Кейна [356] при условии, что учтено распределение дырок по этим зонам. Поскольку распределение дырок влияет на форму пиков поглощения, последняя меняется при изменении температуры. В вырожденном материале / 7-типа пики поглощения смещаются при изменении концентрации носителей ( разд. [49]
 |
Зависимость ft2i6 от тока эмиттера ( а, от напряжения на коллекторе ( б и изменение концентрации носителей в базе ( в при изменении V ( / эconst. [50] |
С дальнейшим увеличением тока эмиттера происходит рост / i2i6 по следующей причине. При инжекции дырок в базу р-п-р-транзистора для сохранения электронейтральности через вывод базы входит такое же количество электронов. Распределение электронов повторяет распределение дырок ( рис. 3.1 б) так же, как это происходит в базе диода. Неравновесные электроны не могут диффундировать под действием градиента концентрации от эмиттера к коллектору, так как из эмиттера нет притока электронов и нарушится электронейтральность базы вблизи эмиттера. [51]
 |
Этап установления прямого напряжения. [52] |
При выводе этой формулы распределение носителей вдоль базы было принято экспоненциальным, как и должно быть в стационарном режиме. Во время переходного процесса распределение дырок характеризуется изображением, оригинал которого слишком сложен для последующего интегрирования. Такое допущение основано на выражениях ( 1 - 124) и ( 1 - 125) для операторной диффузионной длины и ее оригинала. [53]
ПТ с изолированным затвором, часто называемые МДП-транзисторами ( ПТ со структурой металл - диэлектрик - полупроводник), представляют собой модификацию ПТ, в которой тонкая пленка изолирующего материала, обычно диоксида кремния, отделяет затвор от канала. Это устраняет выпрямляющий переход, так что затвору можно придать любую полярность без управляющего тока. Электростатическое поле между затвором и каналом может менять распределение дырок или электронов в канале, определяя таким образом его сопротивление. [55]
На рис. 4.31 показано распределение дырок в базе транзистора. Такое распределение будет иметь место, если переменная составляющая тока i, отсутствует. Если ток ia подается на вход транзистора, то кривая распределения дырок перемещается. [56]
 |
Выходные характеристики и линия нагрузки транзистора.| Распределение неосновных носителей в базе транзистора, работающего в режиме насыщения. [57] |
Режим насыщения характеризуется тем, что оба перехода, эмиттерный и коллекторный, смещены в прямом направлении. Концентрации избыточных носителей в базе повышены по сравнению с активным режимом. Распределение неосновных носителей в базе р-п - р структуры, работающей в режиме насыщения, представлено на рис. 4.21. Пунктирной линией показано распределение дырок при работе структуры в активном режиме, когда через цепь коллектора протекает тот же ток, что и в режиме насыщения. Действительно, в обоих случаях имеется одинаковый градиент концентрации дырок, обеспечивающий одинаковый диффузионный ток. [58]
Проанализируем качественно поведение транзистора, включенного по схеме с общей базой, когда на вход подается постоянный ток / э и переменный ток 13 эмиттера. Пусть амплитуда переменной составляющей входного тока остается постоянной, а частота изменяется в широких пределах. Для анализа необходимо рассмотреть распределение дырок в базе транзистора р-п - р для разных частот входного сигнала. [59]
 |
Плотность дырок в области базы р-п - р транзистора при нормальном режиме смещения. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5