Распределение - дырка
Cтраница 3
Дырочная модель ионного расплава отличается от квазикристаллической тем, что дырки здесь не являются дефектами Шоттки, сохраняющими симметрию, напоминающую кристаллическую решетку, а распределены совершенно беспорядочно. Беспорядочность распределения дырок связана с флук-туациями плотности ионного расплава. [31]
Если же W соизмеримо с Lp или тем более если W Lp, то неравновесный процесс будет распространяться вплоть до базового контакта. Закон распределения дырок в базе, принятый нами ранее, будет нарушен. [32]
Этих сведений вполне достаточно для определения структуры как простых солей, так и солевых смесей, и с этих позиций лучше всего рассматривать природу расплавленных солей. Например, распределение дырок и других форм свободного объема имеет решающее значение для определения транспортных свойств жидкости, поскольку без наличия свободных объемов в ней процессы переноса маловероятны. [33]
Когда имеется узкая базовая область ( Wg. Lp), на распределение дырок сильное влияние оказывает наличие близко расположенного коллекторного перехода, который находится под обратным смещением, причем qU КБ. [34]
При выводе этой формулы распределение носителей вдоль базы было принято экспоненциальным, как и должно быть - в стационарном режиме. Во время переходного процесса распределение дырок характеризуется изображением, оригинал которого слишком сложен для последующего интегрирования. Такое допущение основано на выражениях ( 1 - 124) и ( 1 - 125) для операторной диффузионной длины и ее оригинала. [35]
Токи эмиттерного и коллекторного переходов можно найти, определив градиенты концентрации дырок на границах области базы. Взаимодействие близко расположенных эмиттерного и коллекторного переходов приводит к изменению закона распределения неравновесных дырок в базе. Обычно предполагают, что концентрация неравновесных неосновных носителей заряда значительно меньше концентрации основных носителей. В этом случае влиянием электрического поля в базе на неосновные носители заряда можно пренебречь и считать, что последние движутся от эмиттера к коллектору только за счет диффузии. Кроме того, можно полагать, что все приложенное к транзистору напряжение падает только на р-и-переходах. [36]
Вертикальные переходы, запрещенные при k 0, имеют место между тремя валентными зонами в Ge и других полупроводниках, обладающих структурой цинковой обманки. Наблюдаемые кривые поглощения находятся в хорошем согласии с теорией Кейна [356] при условии, что учтено распределение дырок по этим зонам. Поскольку распределение дырок влияет на форму пиков поглощения, последняя меняется при изменении температуры. В вырожденном материале / 7-типа пики поглощения смещаются при изменении концентрации носителей ( разд. [37]
В неравновесном состоянии распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [38]
В неравновесном состоянии распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение свободных электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [39]
В неравновесном состоянии при искусственном изменении концентрации носителей заряда распределение свободных электронов и дырок уже не соответствует распределению этих носителей заряда при термодинамическом равновесии. Поэтому в неравновесном состоянии распределение свободных электронов по энергетическим уровням характеризуется своим квазиуровнем Ферми для электронов, распределение дырок - своим квазиуровнем Ферми для дырок, которые имеют тот же смысл для полупроводника в неравновесном состоянии, что и уровень Ферми в условиях термодинамического равновесия. Чем больше неравновесные концентрации свободных электронов и дырок отклоняются от своих равновесных значений, тем больше отличается положение квазиуровней Ферми для электронов и для дырок от положения уровня Ферми в условиях термодинамического равновесия. [40]
 |
Области с различной концентрацией. [41] |
Диффузная область начинается там, где полупроводник почти не имеет зарядов, и кончается в объеме полупроводника, где распределение дырок и электронов имеет по существу такое же значение, как и в равновесных условиях. Диффузная область отличается от объема лишь тогда, когда протекает ток. [42]
 |
Зависимость коэффициента передачи от отношения Wn / Lp. [43] |
WnJLp, которые наиболее типичны для составляющего транзистора с толстой базой в тиристоре. Большее значение KN по сравнению с рп объясняется тем фактом, что при равных концентрациях дырок у эмиттера кривая распределения дырок р ( х) в базе кольцевого транзистора идет ниже, чем в базе полоскового. В результате величина р-рп, пропорциональная скорости рекомбинации, будет меньше в кольцевой структуре и большее число дырок достигнет коллектора. [44]
 |
Одномерная модель р - / г-перехода ( масштаб не выдержан. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5