Распределение - дырка
Cтраница 5
Другое заключается в том, что в области базы в результате увеличения концентрации основных носителей от п до пп р меняется проводимость. Заметим, что здесь появляется просто слагаемое р, тогда как в диоде при высоком уровне инжек-ции появлялось р-рп. Причина этого состоит в том, что плотность дырок в коллекторе в принципе равна нулю. На рис. 6.9 показано распределение дырок в базовой области. Эти два фактора будут существенны при объяснении реальной зависимости ро от тока эмиттера. [61]
 |
Распределение неравновесной концентрации в базе транзистора при насыщении. [62] |
Дальнейшее увеличение тока эмиттера не приводит к увеличению тока коллектора. Триод находится в режиме насыщения тока коллектора. С ростом тока эмиттера выше значения / Э1 будет возрастать только ток базы, так как при больших коллекторных токах напряжение на коллекторном переходе уменьшается до такой степени, что коллекторный переход отпирается и начинает инжектировать дырки в область базы. Поскольку коллекторный переход превращается из приемника дырок в источник дырок, то распределение дырок в области базы уже не будет таким, как это было представлено на рис. VI.9. Концентрацию дырок у коллектора уже нельзя будет полагать равной нулю. [63]
Это в свою очередь приводит к изменению ширины базы. Если коллекторное напряжение увеличится, то коллекторный переход расширится и соответственно уменьшится ширина базы. Если при этом ток эмиттера поддерживается постоянным, то и градиент концентрации дырок остается без перемен ( для данного случая распределение дырок изображено пунктирной линией); при этом изменится общее число дырок в базе. [64]
Страницы: 1 2 3 4 5