Распределение - дырка
Cтраница 2
Время, в течение которого устанавливается распределение дырок по длине базы, связано с временем их жизни и определяет инерционность переходных процессов в прямом направлении. [16]
БФ - дрейфовое поле, обусловленное распределением дырок под электродами; Dp пав - коэффициент диффузии дырок вблизи поверхности. [17]
Известно, что если XeLp, to распределение дырок в нейтральной области эмиттера имеет экспоненциальный характер. С другой стороны, при XeLp это распределение линейно, как в области базы. [18]
На рис. 8.18, а показано изменение характера распределения дырок, инжектированных в - область, с течением времени. В начальный момент после включения прямого смещения ( на рис. 8.18, б) градиент концентрации дырок у границы 2 очень высок ( кривая /, рис. 8.18, а), так как дырки, инжектированные в / г-об-ласть, сосредоточиваются в тонком слое у этой границы. За время, при - мерно равное времени жизни избыточных дырок тр, устанавливается стационарное ( не меняющееся во времени) их распределение в n - области ( кривая 3, рис. 8.18, а) и прямой ток достигает своей нормальной величины. [19]
 |
Структура ионных решеток. [20] |
Реальные структуры естественных оксидных ионных решеток определяются плотностью упаковки, видом и распределением дырок в многогранниках, типом последовательности слоев и укладкой ионов кислорода. [21]
Линейные корреляции, наблюдавшиеся в масс-спектрах многих соединений, тоже объясняются в основном закономерностями в распределении дырки по молекулярному иону. Наличие нескольких ловушек в молекуле приводит к диссоциации у каждой ловушки с соответствующей вероятностью. [22]
В то же время электроны, вошедшие в базу для компенсации объемного заряда неравновесных дырок, повторяют практически закон распределения дырок, но не находятся в движении, так как не могут проникнуть через коллекторный переход. [23]
При определении параметров, входящих в ( 30) и ( 36), через макроскопические величины становится ненужным предположение о хаотичности в распределении дырок. При этом следует учитывать, что условие ( 31) при высоких температурах несправедливо. Само представление дырки как пустого узла кристаллической решетки становится в строгом смысле ненужным, так же как и представления о решетке. [24]
В базу будут входить все новые и новые количества электронов, компенсирующих объемный заряд дырок, так что распределение электронов в базе будет практически повторять распределение дырок. [25]
Из соотношения / L следует, что вторая экспонента в выражении ( 2 - 109) уменьшается с ростом дг быстрее, чем первая; значит, вдали от перехода распределение дырок близко к тому, которое было при прямом токе / t до переключения. [26]
 |
Зависимость. i2 гексана ( а. и бензола ( б от степени кристалличности полиэтилена ( / и сополимеров этилена со стиролом разного состава. [27] |
Баррер [20, 138], или атак-тический аналог изотактического полимера, как это сделано в [180], или аморфизированный радиационным облучением кристаллический полимер [37], поскольку во всех перечисленных случаях аморфный аналог уже по строению макромолекулярной цепи отличается от кристаллического компонента, не говоря уже о функции распределения дырок свободного объема по размерам. [28]
Поэтому силовые диоды практически всегда работают при высоких уровнях инжекции в л-базе. Распределение дырок в л-базе диода для этого случая представлено на рис. 1.19 пунктирной кривой. [29]
Коэффициенты инжекции эмиттерных переходов 171, / 73, близкие к 1, и неосновные носители заряда будут только в базовых областях структуры. Распределение дырок и электронов в открытом состоянии тиристора ( / / о) показано на рис. 3.40, г жирной линией. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5