Распределение - концентрация - носитель
Cтраница 1
Распределение концентрации носителей и ход потенциалов в переходной области - р - га-переходе - определяются распределением примесей. [1]
Распределение концентрации носителей и ход потенциала в переходной области - р-п-переходе - определяется распределением примесей. [2]
 |
Потенциальные диаграммы p - n - перехода при прямом ( а и обратном ( б смещениях. [3] |
Распределение концентрации носителей иллюстрируется графиками для прямого ( рис. 1.24, а) и обратного ( рис. 1.24, б) смещений. [4]
 |
Зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от концентрации носителей заряда. [5] |
Если распределение концентрации носителей заряда по толщине слоя известно, то полную концентрацию определяют путем интегрирования профиля по всей толщине образца. Вследствие неполной ионизации примесей при их высокой концентрации количество носителей заряда в слое может быть меньше количества внедренных примесей. На рис. 2.11 приведены зависимости холловской подвижности электронов и дырок в кремнии от их концентрации; сплошными линиями представлены зависимости для некомпенсированного однородного материала, пунктиром - для ион-но-легированных слоев. [6]
Полученные в § 2.3 распределения концентрации носителей дают возможность записать аналитические выражения для постоянных токов в транзисторе, работающем в активном режиме. [7]
Полученные в § 4.3 распределения концентрации носителей дают возможность записать аналитические выражения для постоянных токов в транзисторе, работающем в активном режиме. [8]
На фиг, 2.9 показано распределение концентраций носителей для равновесного состояния. [9]
В работе [98] найдены выражения распределений концентраций носителей в базах и избыточных зарядов к моменту времени t l / v, когда ток z T - пр ( 1 - vt), убывающий со скоростью v, станет равным нулю. [10]
На рис. 5, ж показано распределение концентрации носителей в полупроводнике с р-л-переходом. Концентрация дырок - рро в р-области, где они являются основными носителями, на несколько порядков превышает концентрацию дырок рло в п-области, где они являются неосновными носителями. [11]
Вольт-емкостным методом и послойным травлением исследовано распределение концентрации носителей заряда в автоэпитаксиальных слоях кремния / АЭСК / р - и n - тишзв проводимости, выращенных путем пиролиза гидридов и сублимацией в вакууме на подложках, легированных В, Р и Sb до концентрации - 10 см-3. Ширина концентрационных переходов р - р и п - п, полученных при температурах 700 - 1000 С в вакууме и 1100 С пиролизом гидридов, не превышает 0 2 мкм и может быть обусловлена диффузией примеси из подложки. На концентрационных кривых от АЭСК, выращенных при 1000 - 1100J С на подложках, легированных фосфором, наблюдаются хвосты длиной до 1 мкм, не объяснимые диффузией фосфора из подложки. [12]
Для вычисления диффузионного тока необходимо знание распределения концентраций носителей заряда по обе стороны от перехода. [13]
На рис. 2 - 1, в показано распределение концентрации носителей в п-р-пе-ррходе. Взяты значения концентраций, характерные для германия. Так как концентрации основных и неосновных носителей отличаются друг от друга в миллионы раз, то по вертикальной оси концентрации отложены в логарифмическом масштабе. Концентрации примесей в областях пир обычно бывают различными. [14]
Эта формула записана без учета влияния Vc на распределение концентрации носителей в канале. Соответственно, обедненная область ( заштрихована на рис. 4.9 в) у стока шире, чем у истока. [15]
Страницы: 1 2 3