Распределение - концентрация - носитель
Cтраница 2
Эта формула записана без учета влияния напряжения UHC на распределение концентрации носителей в канале. [16]
При таком распределении примесей, когда создается участок тормозящего поля, распределение концентрации носителей в базе получается, как показано на рис. 4.6, г. Участку тормозящего электрического поля соответствует резкое возрастание концентрации носителей и ее градиента у эмиттера. [17]
В качестве начальных условий для второго этапа должны быть выражения, описывающие распределение концентраций носителей к концу второго этапа, однако использование этих выражений затруднительно из-за громоздкости. [18]
Все эти результаты измерений распределения концентрации по сечениям xOz и хОу качественно подтверждают эллипсоидальную симметрию распределения концентрации инъек-тированных носителей в полупроводнике и представление о том, что действие магнитного поля на диффундирующие носители сводится к искривлению их макротраекторий. Однако количественное сравнение этих результатов с теорией оказывается затруднительным. Но необходимо иметь в виду, что исследование сечений эллипсоида на образцах, имеющих форму пластинок, может дать лишь качественную картину явления, так как условия растекания носителей будут отличны от условий растекания в бесконечном полупроводнике. В таких опытах неизбежно влияние ограничивающих плоскостей образца на величины измеряемых токов. При наличии большой поверхностной рекомбинации носители, отклоняющиеся к поверхности пластинки, быстрее рекомбинируют и концентрация их уменьшается с расстоянием от точк инъекции быстрее, чем она уменьшалась бы в неограниченном образце. Влияние поверхности не исключается и в том случае, когда скорость поверхностной рекомбинации равна нулю, так как будет происходить отражение носителей от ограничивающих плоскостей. [19]
В случае же действия уравнения ( 8), а также уравнения ( 11) характер распределения концентрации носителей заряда по толщине / - области изменяется во времени и отличается от стационарного распределения. Поэтому выражения типа ( 5) не пригодны для переходного периода. [20]
 |
Энергетическая зонная диаграмма солнечного элемента с гетеропереходом при прямом смещении с учетом эффекта ограничения скорости носителей заряда вследствие рассеяния. [21] |
Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения), для которого на рис. 1.8 приведена кривая распределения концентрации носителей с учетом эффекта ограничения их скорости вследствие рассеяния. Полученные результаты представлены на рис. 2.7. Поскольку фотогенерированные носители заряда являются горячими по отношению к кристаллической решетке, уровень EFn должен лежать несколько ниже, чем показано на рисунке. [22]
Если нарастить коллектор цилиндром радиуса рн рк - - 2шсв, как показано на рис. 1 пунктирной линией, то из закона ( 29) следует, что этот нарост несущественно повлияет на распределение концентрации носителей в области ррк - 2ггсв, а значит и на величину фототока гфк. [23]
Если нарастить коллектор цилиндром радиуса рн рк - - 2шсв, как показано на рис. 1 пунктирной линией, то из закона ( 29) следует, что этот нарост несущественно повлияет на распределение концентрации носителей в области ррк - 2шсв, а значит и на величину фототока i K. [24]
Изменение J0 нА может быть вызвано поглощением света состояниями вблизи границы раздела, в объеме материала у перехода или в диэлектрическом слое элементов с МДП-структурой, причем в любом из этих случаев возможно изменение профиля распределения концентрации носителей заряда в переходе. [25]
Носители, инжектированные при прямом смещении, туннелируют в межкристаллитные области через слои обеднения, образующиеся в местах пересечения границ зерен и p - n - переходов. Распределение концентрации носителей заряда в этих областях ( заштрихованы на рис. 3.19 в) с трудом поддается расчету. Впервые эту проблему обсуждал еще Шокли [ Shockley, 1949 ], однако полного решения задачи им не было дано. [26]
Первые два допущения означают, что падение напряжения в транзисторе локализуется на р-я-переходах, а эффективность эмиттера не зависит от его тока. Из последнего допущения следует, что распределение концентрации носителей в базе насыщенного транзистора является суммой распределений концентраций носителей в базе для нормального и инверсного активных режимов включения транзистора. [27]
Различают два вида емкости р-д-перехода: 1) барьерную емкость, обусловленную объемным зарядом в p - n - переходе ( р-д-переход можно рассматривать как плоский конденсатор, в котором объег ный заряд распределен соответственно рис. 5, б и д); 2) диффузионную емкость, обусловленную изменением заряда вне р-д-перехода при изменении напряжения на переходе, как показано на рис. 5, з и и. На рис. 5, з показано распределение концентрации носителей при прямом напряжении на переходе. [28]
На высокой частоте вследствие инерционности диффузионных процессов распределение концентрации носителей заряда в базе транзистора отличается от статического. [29]
Согласно выражению ( 3) концентрацию неосновных носителей на границах p - n - перехода можно принять равной нулю уже при Иь 0 1 В. При дальнейшем увеличении иъ ( по абсолютному значению) распределение концентрации носителей вне p - n - перехода не изменяется, следовательно, вне р-л-перехода при изменении напряжения заряд не изменяется, поэтому диффузионная емкость при обратном напряжении мала. [30]
Страницы: 1 2 3