Cтраница 3
Действительно, положив / 3 ( r t) 0, мы возвращаемся к квазиравновесному распределению (2.2.32); как было показано ранее, оно приводит к граничному условию Боголюбова. [31]
При скоростях изменения потенциала выше нескольких милливольт в секунду в приэлектродном слое не успевает устанавливаться устойчивое квазиравновесное распределение концентрации между электродом и раствором. [32]
В классическом пределе формула (2.3.59) дает среднее значение ( ДЛ Д д, вычисленное с квазиравновесным распределением. [33]
В пределах каждой из степеней свободы обмен энергией происходит относительно легко, что приводит к установлению квазиравновесных распределений частиц по соответствующим энергетич. В этом случае говорят об электронной, колебат. [34]
Переход квазиравновесного распределения в ненарушенный рост живых цепей. [35] |
Распределение дг ( М), однако, уже необязательно будет очень узким, а сохранит тот характер, которое имело квазиравновесное распределение живых цепей к моменту исчерпания модификатора. [36]
Носители тока взаимодействуют главным образом с решеткой, и время релаксации при этом взаимодействии много меньше их времени жизни; при этом устанавливается квазиравновесное распределение с температурой, общей для носителей тока и решетки; соотношение (60.1) будет вы подняться, причем Т соответствует температуре, измеряемой на опыте. [37]
Освобождаемые светом носители тока взаимодействуют главным образом друг с другом, и время релаксации при таком взаимодействии много меньше времени жизни носителей; В этом случае устанавливается свое квазиравновесное распределение носителей с температурой, отличной от температуры основной решетки ( аналогично электронам в плазме, температура которых может сильно отличаться от температуры ионов); соотношение (60.1) будет выполняться, если под Т понимать не температуру решетки, а температуру носителей тока. [38]
Применение полученных закономерностей о влиянии кинетики на проводимость плазмы продуктов сгорания с примесью в сверхзвуковых соплах показали, что сверхзвуковые скорости обеспечивают значительно большее увеличение мощностей, чем при квазиравновесном распределении осе. [39]
Схема оптических переходов в примесном полупроводнике. [40] |
Чтобы выяснить влияние новых каналов рекомбинации на насыщение поглощения, предположим вначале, что полупроводник практически компенсированный и при малых интенсив-ностях возбуждения электроны в зоне и на донорных уровнях, а дырки в валентной зоне и на акцепторных уровнях не вырождены и характеризуются квазиравновесным распределением. [41]
При росте зародыша жидкости в газопаровой фазе имеют место два неравновесных процесса: эволюция функции распределения / ( g, t) и лимитирующая скорость этой эволюции диффузия молекул пара к растущему зародышу. Поэтому квазиравновесное распределение такой системы должно содержать два зависящих от времени локальных параметра, позволяющих учесть неравновесную плотность зародышей в - пространстве и неравновесный диффузионный профиль концентрации пара. [42]
Блок-схема масс-спеггрометра. [43] |
При ионизации электронным ударом происходит перераспределение энергии возбуждения по колебат. Предположение о квазиравновесном распределении энергии возбуждения позволяет полуэмпирич. [44]
Здесь / 3 ( t) - обратная температура химически реагирующих веществ, a pf ( t) - химические потенциалы компонентов. В параграфе 2.5 квазиравновесное распределение (2.2.80) используется для вывода уравнений баланса, описывающих химические реакции. [45]