Режим - обеднение
Cтраница 1
Режим обеднения соответствует обратной полярности напряжения, при которой основные носители отталкиваются от поверхности. Протяженность этого слоя определяется не деба-евской длиной, а другим характеристическим параметром [ ср. [1]
Для режима обеднения V30 и удобнее записать (4.14) как o ( inClabl) ( V30 - V3), где V30 (4.15) положительно, а под V3 подразумевается его абсолютная величина. [2]
В режиме обеднения ( рис. 3.6, б) энергетические зоны вблизи границы раздела полупроводник - диэлектрик изгибаются вверх. Следовательно, концентрация электронов у поверхности полупроводника ниже, чем в объеме, и приповерхностный положительный связанный заряд QB будет обусловлен нескомпенсированными ионами донорной примеси. Для одномерной модели напряженность электрического поля является линейной функцией, а электростатический потенциал и энергия электронов - параболическими функциями расстояния от границы раздела диэлектрик - полупроводник. [3]
В режиме обеднения заряд в полупроводнике отрицателен, он связан с ионами акцепторов обедненного слоя. [4]
В режиме обеднения ( рис. 3.15, б) энергетические зоны вблизи границы раздела полупроводник - диэлектрик изгибаются вверх. Следовательно, концентрация электронов у поверхности полупроводника ниже, чем в объеме, и приповерхностный положительно связанный заряд QB будет обусловлен нескомпенсир01ванными ио-нами донорной примеси. [5]
В режиме обеднения емкость уменьшается, поскольку индуцированный заряд проникает глубоко в кремний. Вблизи минимума емкости увеличение приповерхностного поля начинает индуцировать электроны в инверсионном слое. [7]
 |
Зависимость изменения поверхностей удельной электрической проводимости полупроводника от внешней разности потенциалов. [8] |
В режиме обеднения при высоких внешних напряжениях возможно образование инверсного слоя. Вследствие изменения концентрации свободных носителей заряда в приповерхностном слое полупроводника под действием внешнего перпендикулярного к поверхности электрического поля изменяется его проводимость. [9]
 |
Схема включения ( а и схематическое представление конструкции ( б триода для определения коллекторного тока iK о н. [10] |
Коллекторные характеристики, соответствующие режиму обеднения, располагаются ниже нулевой характеристики. [11]
Такой режим работы МОП-транзистора называют режимом обеднения. МОП-транзисторы с встроенным каналом могут работать как в режиме обогащения, так и в режиме обеднения. Режим работы определяется полярностью напряжения на затворе и типом электропроводности канала. Напряжение на затворе f / 0, при котором прекращается протекание тока стока, носит название порогового напряжения, а напряжение на сток 17Я, начиная с которого прекращается возрастание тока стока, называют напряжением насыщения. [12]
Ре - стока имеет насыщение меньше в режиме обеднения. [13]
 |
Структура ( а-г и выходные характеристики ( д полевого транзистора с управляющим р-я-переходом и каналом п-типа. [14] |
Полевые транзисторы могут работать в обедненном режиме ( режиме обеднения), характеризующемся уменьшением проводимости канала, или в обогащенном режиме ( режиме обогащения, аккумуляции), характеризующемся увеличением проводимости канала. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5